与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多

§1.1土的组成与土的结构构造 §1.2土的物理性质指标 §1.3土的物理状态指标 §1.4土(岩)的工程分类 §1.5土的压实性

• §6.1地基承载力概述 • §6.2按极限平衡区发展范围确定地基承载力 • §6.3按极限荷载确定地基极限承载力 • §6.4按原位测试成果确定地基承载力 • §6.5按《地基规范》确定地基承载力

• 土的抗剪强度 1.库仑定律 2.土的极限平衡条件 • 剪切试验方法(直剪，三轴，无侧限，十字板） • 不同排水条件下剪切试验成果*

§4.1 土的压缩性 §4.2 地基最终沉降量 §4.3 饱和土渗流固结理论 §4.4 建筑物沉降观测与地基容许变形

§1.1土的组成与土的结构构造 §1.2土的物理性质指标 §1.3土的物理状态指标 §1.4土(岩)的工程分类 §1.5土的压实性

第六章放大器反馈原理及稳定化基础 6.1反馈放大器的基本概念 6.2负反馈对放大器性能的影响 6.3负反馈放大器的分析与计算 6.4负反馈对放大器频域和时域特性的影响 6.5负反馈放大器的稳定性 6.6相位补偿原理与技术

第11章 热力学基础 第12章 气体动理论

第13章 机械波 第14章 波动光学基础

• 辐射换热基本概念 • 黑体辐射换热的基本定律 • 实际物体与灰体的辐射 • 角系数 • 两个灰体间的换热