1.1.1导体、绝缘体和半导体 自然界的物质,按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三类。 物质的导电能力可以用电导率或电阻率p来衡量,二者互为倒数。物质的 导电能力越强,其电导率越大,电阻率越小。 导电能力很强的物质称为导体

【本章重点】本章重点介绍半导体存储器系统基本知识及分类，讲述微型计算机存储器系统的构成及微机系统与外部存储器的连接方法。【本章难点】本章难点是存储器系统的构成和微机系统和外部存储器的连接方法

7.1 半导体二极管 7.2 半导体三极管 7.3 三极管单管放大电路 7.4 场效应晶体管及其放大电路 7.5 多级放大电路 7.6 差动放大电路 7.7 互补对称功率放大电路

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

半导体存储器的分类 随机存取存储器 只读存储器 CPU与存储器的连接 微机中存储系统的结构

5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

6.1 有机半导体中的电子状态与载流子 6.2 载流子的注入与传输机理 6.3 OTFT的结构、原理与特性 6.4 OTFT中的关键材料 6.5 有机半导体材料的成膜技术 6.6 OTFT中的掺杂 6.7 OTFT中的图形化技术

电子科技大学：《半导体光电子学 Semiconductor Optoelectronics》课程教学资源（课件讲稿）第一章 半导体物理基础

• 2.2.1 半导体的压阻效应 • 2.2.2 体型半导体应变片 • 2.2.3 扩散型压阻式压力传感器 • 2.2.4 压阻式加速度传感器 • 2.2.5 测量桥路及温度补偿