7.1 概述 7.2 只读存储器( ROM ) 7.3 随机存储器( RAM ) 7.4 存储器容量的扩展 7.5 用存储器实现组合逻辑函数

例1.半导体硅单晶的介电常数=11.8,电子和空穴的有效质量各为n=0.97m, mm=0.19m和mp=0.16m,mp=0.53m。,利用类氢模型估计: (1)施主和受主电离能 (2)基态电子轨道半径

1.六管单元 (1)组成 T1、T3:MOS反相器53 T2、T4:MOS反相器

一、填空题 1、某半导体器件的型号为KS50-7的,其中KS表示该器件的名称

第3章通信用光器 3.1光源 3.1.1半导体激光器工作原理和基本结构 3.1.2半导体激光器的主要特性 3.1.3分布反馈激光器 3.1.4发光二极管 3.1.5半导体光源一般性能和应用

场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。优点:输入电阻大(107Ω~1012Ω)、噪音低、热稳定性好、抗辐射能力强等

1.3.3晶体管的共射特性曲线 一、输入特性曲线

一、概述 高水平的工艺良品率是生产性能可靠的芯 片并获得收益的关键所在。本章将简单介绍影 响良品率的主要工艺及材料要素,并对良品率 测量点做出阐述。 维持及提高良品率对半导体工业至关重要 ,因为半导体制造工艺的复杂性,以及生产一 个完整封装器件所需要经历的庞大工艺制程, 是导致这种对良品率超乎寻常关注的基本原因 。这两方面的原因使得通常只有20%至80%的芯 片能够完成生产线全过程,成为成品出货

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

存储器是计算机的一个重要组成部分,用 来保存程序和数据的硬件装置.→口口功能部件