点击切换搜索课件文库搜索结果(329)
文档格式:PPT 文档大小:17.04MB 文档页数:58
第二部分:光学显微镜与电子显微镜 第三部分:扫描探针显微技术 第四部分:纳米微阵列印刷技术
文档格式:PDF 文档大小:432.82KB 文档页数:11
《模拟与数字电路实验》参考资料:元件和实验系统_器件资料_LM565
文档格式:PDF 文档大小:213.27KB 文档页数:14
《模拟与数字电路实验》参考资料:元件和实验系统_器件资料_MC1496, MC1496B Balanced Modulators/ Demodulators
文档格式:PPT 文档大小:3.06MB 文档页数:47
4.1 导线的加工方法 4.2 扎线的制作 4.3 元器件装配前的加工
文档格式:PDF 文档大小:587.82KB 文档页数:14
《模拟与数字电路实验》参考资料:元件和实验系统_器件资料_LF353 Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier
文档格式:PDF 文档大小:286.14KB 文档页数:22
《模拟与数字电路实验》参考资料:元件和实验系统_器件资料_三极管参数大全,包括9012、9013、9014、9015等
文档格式:PPT 文档大小:502.5KB 文档页数:91
光电传感器是各种光电检测系统中实现光电转换的关键元件,它是把光信号(红外、可见及紫外光辐射)转变成为电信号的器件
文档格式:PPTX 文档大小:453.43KB 文档页数:31
一、数制与编码 二、逻辑代数 三、基本逻辑门电路 四、汽车常用组合逻辑器件
文档格式:PPT 文档大小:1.37MB 文档页数:56
通过本章的学习,将能够: 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响; 2. 对PN结进行描述,讨论其重要性,并解释其反向偏压和正向偏压的不同; 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能,偏压、结构及应用; 4. 描述 CMOS 技术的基本特征,包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别; 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质; 7. 列举一些集成电路产品,描述其各自的一些应用
文档格式:PDF 文档大小:13.73MB 文档页数:71
基本概念基本概念 简化模型-开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等 简化模型-开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等
首页上页2627282930313233下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 329 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有