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5-1引言( Introduction) 5-2纯弯曲时的正应力 (Normal stresses in pure beams) 5-3横力弯曲时的正应力( Normal stresses in transverse bending 5-4梁的切应力及强度条件(Shear stresses in beams and strength condition) 5-5提高梁强度的主要措施( Measures to strengthen the strength of beams)
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(1)掌握风险决策准则及其应用; (2)掌握决策树在技术经济分析中的应用; (3)熟悉不确定型决策的准则和应用; (4)了解风险管理的一般策略和方法
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5.3 Word 2010文档排版 5.2 Word 2010的文本编辑 5.1 Word 2010入门 5.4 Word 2010的表格应用 5.5 Word 2010的图文混排 5.6 Word 2010的页面格式设置 5.7 Word 2010应用综合案例
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1.解释下列概念 (1)构造 (2)构型 (3)构象 (4)极端构象 (5)优势构象 (6)构象能 (7)区域选择反应 (8)区域专一反应 (9)内消旋体 (10)外消旋体 (11)S2反应
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经济适用的单片机应用系统,必然包 含合适的外围器件。外围器件与单片机的 接口是单片机应用系统至关重要的环节。 本章主要讲述MCS-51单片机与常见的程序 存储器、数据存储器、数字I/O通道的接口 技术,模拟输入输出通道和单片机的接口 技术下章讲述
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本章要求: ❖ 掌握C语句、C语言程序的结构关系; ❖ 理解算法及算法的表示; ❖ 掌握顺序结构程序设计 ❖ 掌握选择控制语句——if语句、switch语句以及他们的嵌套应用; ❖ 掌握循环控制语句——for语句、while语句、do…while语句以及他们的嵌套应用; ❖ 掌握break语句、continue语句的应用; ❖ 能够运用3种结构进行综合程序设计。 4.1 C语句结构 4.2 算法及算法的表示 4.3 顺序结构 4.4 选择结构 4.5 循环结构 4.6 其它控制语句 4.7 应用程序举例
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➢9.1 数字信号处理算法的DSP实现 ➢9.2 C54x应用系统设计实例 ➢9.3 DSP系统的调试与抗干扰措施
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第一部分 ICETEK–VC5509-AE 评估板硬件使用指导 第一章 ICETEK–VC5509-AE 评估板技术指标. 第二章 ICETEK–VC5509-AE 原理图和实物图 . 第三章 接插件位置和拨档开关设置. 第四章 二次开发扩展总线(P1,P2,P3,P4)的定义与应用 第五章 TMS320VC5509 的存储空间和评估板的存储器映射 第六章 ICETEK–VC5509-AE评估板 I/O 寄存器的设计和使用. 第二部分 ICETEK-VC5509-AE 教学系统软件使用指导 实验设备安装 一.开发环境 . 二.ICETEK-DSP 教学实验箱的硬件连接 . 三.构造 DSP 开发软件环境 . 四.启动和设置 CCS 一.CCS 软件应用实验 实验 1 :Code Composer Studio 入门 . 实验 2 :编写一个以 C 语言为基础的 DSP 程序 . 实验 3 :编写一个以汇编(ASM)语言为基础的 DSP 程序 实验 4 :编写一个汇编和 C 混合的 DSP 程序 . 二.基于 DSP 芯片的实验 . 实验 :DSP 数据存取实验 三.基于 DSP 系统的实验 . 实验 :指示灯实验 . 实验 :拨码开关控制实验 . 第三部分 ICETEK-VC5509-AE 教学实验指导 . 实验 :单路,多路模数转换(AD) . 实验 :外中断 . 实验 :DSP 的定时器
文档格式:PDF 文档大小:939.05KB 文档页数:72
第一部分 软件仿真(Simulator)实验 实验一 集成开发环境 CCS 应用基础 实验二 寻址方式 实验三 定点定标运算 实验四 浮点运算 实验五 汇编程序的优化 实验六 C 语言编程与优化(乘法—累加运算程序设计) 实验七 混合编程实验 实验八 FIR 滤波器的实现 实验九 基于 DSP 的数字图像处理算法的实现 第二部分 硬件(Emulator)实验 实验十 片内定时器实验 实验十一 数字 I/O 口的应用 实验十二 同步串口与 A/D 转换 实验十三 基于 DSP 的数字音频处理系统 第三部分 部分实验程序参考清单 实验一参考程序 实验二参考程序 实验三参考程序 实验四参考程序 实验五参考程序 第四部分 参考资料 一、C54xCPU 的存储器映像寄存器及其地址 二、C54xCPU 的状态和控制寄存器 ST0、ST1 三、TMS320C5416DSP 的存储区映像 四、C54xCPU 的处理器模式状态寄存器 PMST 五、C54x 的片内定时器控制寄存器 TCR 六、TMS320C5416 的中断矢量表 参考文献
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电枢反应: 电枢磁通势的基波 在气隙中使气隙磁通的大小及位 置均发生变化, 这种影响称为电 枢反应
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