第一章 常用半导体器件 1.重点、难点与知识结构 2.主要授课内容 第二章 基本放大电路 1.重点、难点与知识结构 2.主要授课内容 第三章多级放大电路 1.重点、难点与知识结构 2.主要授课内容 第四章 集成运算放大电路 1.重点、难点与知识结构 2.主要授课内容 第五章 放大电路的频率响应 1.重点、难点与知识结构 2.主要授课内容 第六章 放大电路中的反馈 1.重点、难点与知识结构 2.主要授课内容 第七章 信号的运算和处理 1.重点、难点与知识结构 2.主要授课内容 第八章 波形的发生和信号的转换 1.重点、难点与知识结构 2.主要授课内容 第九章 功率放大电路 1.重点、难点与知识结构 2.主要授课内容 第十章 直流电源 1.重点、难点与知识结构 2.主要授课内容

一、半导体器件工作原理 二、共射放大电路组成、工作原理、性能特点及分析方法 三、射极输出器基本特点，差动放大电路及功率放大电路工作原理 四、多级放大电路概念 五、场效应管放大电路组成及分析方法

电力电子学,又称功率电子学(Power Electronics)。它主要研究各种电力电子器件， 以及由这些电力电子器件所构成的各式各样的 电路或装置，以完成对电能的变换和控制

4.2.1电力电子器件的分类 两大分支: 一是以晶闸管为代表的半控型器件; 二是新型的品类繁多的全控型器件,如电力晶体管(GTR),可关断晶闸管(GTO),功率场效应晶体管(功率 MOS FET),绝缘栅极双极晶体管(IGBT)等

功率管是电路中最容易受到损坏的器件。损坏的主要原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值。而晶体管的耗散功率取决于管子内部结温T。当T超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧坏。一般情况下,硅管允许结温为120~200℃,锗管为85℃左右(具体标准在产品手册中给出)

5.1 概述 5.1.1 功率放大器的主要指标 5.1.2 功率放大器的分类 5.2 互补推挽功率放大器 5.3 其它形式的功放电路 5.4 功率器件、散热及保护电路

5.1 连接匹配元件 5.2 功率分配元器件 5.3 微波谐振器件 5.4 微波铁氧体器件

9—1 功率放大器 9—2 整流器和直流稳压电源 9—3 功率器件 9—4 高精度基准电压源

5.1 功率放大电路的一般问题 5.2 乙类互补对称功率放大电路 5.3 甲乙类互补对称功率放大电路 5.4 集成功率放大器 5.5 功率器件

浙江大学网络教育课程：《电力电子技术》教学资源（PPT课件）第二章 功率半导体器件的驱动与保护 6.晶闸管的串、并联与保护（1）