目录 第14章二极管和晶体管 第14.3节二极管 第14.3.2题 第14.3.5题 第14.4节稳压二极管 第14.4.2题 第14.5节晶体管

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

 pn结模型  BJT型晶体管模型  MOS型晶体管模型  MOS型与BJT型晶体管的比较

§3.1 基本原理 §3.2 直流IV特性 §3.3 晶体管模型 §3.4 频率特性 §3.5 击穿特性 §3.6 功率特性 §3.7 开关特性 §3.8 晶体管的设计 §3.9 异质结晶体管HBT

第十四讲频率响应概述与晶体管的高频等效电路 一、频率响应的基本概念 二、放大电路的频率参数 三、晶体管的高频等效电路 四、场效应管的高频等效电路

§4.1 半导体二极管 4.1.1 半导体的物理特性 4.1.2 二极管结构和分类 4.1.3 半导体二极管的伏安特性 4.1.4 二极管的主要参数 4.1.5 二极管的电路模型及应用 4.1.6 稳压二极管 4.1.7 变容二极管 §4.2 双极型晶体管 4.2.1 三极管的结构及电路组态 4.2.2 三极管的特性曲线和工作状态 4.2.3 晶体管的主要参数 §4.3 绝缘栅型场效应晶体管 4.3.1 MOS管类型 4.3.2 MOS管的伏安特性曲线和工作状态 4.3.3 MOSFET主要参数

2-4：在放大电路中测得晶体管各电极对地的直流电压如下所 列，确定它们各为哪个电极，晶体管是NPN型还是PNP型？  解题思路：晶体管工作在放大区时发射结正偏、 集电结反偏

§3.1 基本原理 §3.2 直流IV特性 §3.3 晶体管模型 §3.4 频率特性 §3.5 击穿特性 §3.6 功率特性 §3.7 开关特性 §3.8 晶体管的设计 §3.9 异质结晶体管HBT

本章讨论的问题:1什么是放大?放大电路放大信号与放大镜放大物体意义相 同吗?放大的特征是什么?2为什么晶体管的输入、输出特性说明它有放大作用?如何将 晶体管接入电路才能起到放大作用?组成放大电路的原则是什么?有几种接法?3如 何评价放大电路的性能?有哪些主要指标?4晶体管三种基本放大电路各有什么特点?如 何根据它们的特点组成派生电路? 5如何根据放大电路的组成原则利用场效应管构成放大电路?它有三种接法吗?

一、功率晶体管GTR 二、功率功效应晶体管（P-MOSFET） 三、绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 四、自关断器件驱动电路