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综述了多晶卤化物钙钛矿薄膜的局限性, 卤化物钙钛矿量子点的基本光学性质和制备方法, 以及在光电探测器方面的器件结构研究进展, 并重点介绍了应用在0D-2D混合维度异质结基光电晶体管器件的突破, 包括界面载流子行为和高性能光探测器的构建.最后, 总结了卤化物钙钛矿量子点作为未来商业化应用的光电子器件和电子器件的候选材料所面临的主要问题和挑战, 譬如化学不稳定性、铅毒性问题、量子点与其他材料间界面高效电荷传输等问题, 并提出了解决思路和方法.这为设计和推进高性能、高稳定性卤化物钙钛矿量子点基光电功能化器件的商业化应用指明了方向

电介质:在电场作用下,能建立极化的一切物质。通常 是指电阻率大于100g2cm的一类在电场中以感应而并非 传导的方式呈现其电学性能的物质。 陶瓷电介质的主要应用:电子电路中的电容元件、电绝 缘体、谐振器。某些具有特殊性能的材料,如:具有压 电效应、铁电效应、热释电效应等特殊功能的电介质材 料在电声、电光等技术领域有着广泛的应用前景。 电介质的主要性能:介电常数、介电损耗因子、介电强 度 目前的发展方向:新型器件的研制、提高使用频率范围 扩大环境条件范围,特别是温度范围

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

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1.固体的发光 某一固体化合物受到光子、带电粒子、 电场或电离辐射的激发,会发生能量的吸收 、存储、传递和转换过程。 如果激发能量转换为可见光区的电磁辐 射,这个物理过程称为固体的发光