主要内容： 1. 运算放大器的电路模型 2. 运算放大器在理想化条件下的外部特征 3. 含有运算放大器的电阻电路分析

5.1非正弦周期交流信号 5.2非正弦周期量的分解 5.3非正弦周期量的有效值 5.4非正弦周期电流的线性电路的计算 5.5非正弦周期电流电路平均功率

1.1 电路模型 1.2 电路变量 1.3 电阻元件 1.4 电源元件 1.5 基尔霍夫定律 1.6 电阻的串联和并联 1.7 实际电源模型

一、基本控制 二、常用基本控制电路 三、电气控制电路读图

实验一 受控源VCCS、CCVS的实验研究 实验二 戴维南定理和诺顿定理 实验三 电路元件伏安特性的测绘 实验四 RC一阶电路的响应测试 实验五 日光灯电路功率因数提高方法的研究 实验六 R、L、C串联谐振电路的研究 实验七 R、L、C元件阻抗特性的测定 实验八 三相交流电路 实验九 基尔霍夫定律的验证 实验十 叠加原理的验证

本章重点是关联矩阵、基本回路矩阵及基本割集矩阵等几种基本矩阵的列写及其相互间关系。 1. 掌握割集的概念，熟练写出电路关联矩阵A、回路矩阵B、割集矩阵Q； 2. 掌握复合支路的概念； 3. 学会用矩阵形式列写回路电流方程、结点电压方程和割集电压方程；

整流－将交流电变为直流电的过程； 整流电路－将交流电变为直流电的电路；

晶闸管（Silicon Controlled Rectifier 简称SCR）是在60年代发展起来的一种 新型电力半导体器件，晶闸管的出现起到了弱电控制与强电输出之间的桥梁作用

第五章线性处理器 5.1运放工作在线性区时的特点 5.2信号的运算电路 5.3有源滤波器 5.4电压源、电流源与电压、电流电阻的测量

通过Gleeble热模拟实验机模拟了X100管线钢的粗晶热影响区（CGHAZ）及再热临界粗晶热影响区（ICCGHAZ）微观组织。采用电化学测试、浸泡实验及表面分析技术研究了交流干扰下X100管线钢母材、CGHAZ及ICCGHAZ在库尔勒土壤溶液中的腐蚀行为。结果表明：交流干扰下X100管线钢母材、CGHAZ及ICCGHAZ都表现为活性溶解，平均腐蚀速率随交流电流密度的增大而增加。交流干扰造成的极化电位振荡幅值及微观组织对X100管线钢母材、CGHAZ及ICCGHAZ的平均腐蚀速率和腐蚀形貌有着重要影响。在5 mA·cm?2交流电流密度干扰下，母材的腐蚀电位最负、平均腐蚀速率最大，ICCGHAZ的腐蚀电位最正、平均腐蚀速率最小，CGHAZ的腐蚀电位及平均腐蚀速率都居中；在20 mA·cm?2及50 mA·cm?2交流电流密度干扰下，ICCGHAZ腐蚀电位最负、平均腐蚀速率最大，母材的腐蚀电位最正、平均腐蚀速率最小，CGHAZ的腐蚀电位及平均腐蚀速率都仍居中。在20 mA·cm?2交流电流密度交流干扰下，X100管线钢发生局部腐蚀，CGHAZ、ICCGHAZ发生明显的晶界腐蚀，GCHAZ晶界腐蚀形貌呈缝隙状、ICCGHAZ晶界腐蚀形貌为连续孔洞