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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）chap4-1 第四章 CMOS单元电路基本单元电路 4.7 传输门基本特性

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8.1 门延时 8.2 驱动大电容负载 8.3 逻辑努力(Logical Effort) 8.4 BiCMOS驱动器

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）chap4-1 第四章 CMOS单元电路静态CMOS逻辑电路 4.6 复杂逻辑门的分析

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4.1 硅工艺概述 4.2 材料生长与淀积 4.3 刻蚀 4.4 CMOS工艺流程 4.5 设计规则

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3.1 集成电路工艺层 3.2 MOSFET 3.3 CMOS工艺层 3.4 FET阵列设计

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）chap4-1 第四章 CMOS单元电路静态CMOS逻辑电路 4.5 复杂逻辑门

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）chap4-1 第四章 CMOS单元电路静态CMOS逻辑电路 4.4 与非门/或非门

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武汉职业技术学院：《塑料成型工艺与模具设计》课程教学资源（PPT课件讲稿）第四章注射模设计及制造 4.7 热固性塑料注射模 4.8 气辅成型模具

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）chap4-1 第四章 CMOS单元电路 4.2 反相器瞬态特性

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功耗来源影响因素