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采用线性极化电阻技术和交流阻抗技术研究了锅炉水冷管材在过氧化氢溶液钝化条件下的电化学特征,结合SEM电子扫描技术对不同钝化条件下的钝化膜成膜形貌进行观察测量.实验结果表明,在柠檬酸漂洗后采用过氧化氢钝化的过程中,当过氧化氢的质量分数为0.1%,溶液pH为9.5,亚铁离子的质量浓度为100 mg·L-1且氯离子的质量浓度低于50 mg·L-1时钝化效果最好,钝化膜成膜形貌较为完整,管材抵抗外界腐蚀的能力最强
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以综合化工污泥、膨润土和造孔剂为原料,制成粒径为3~6mm水处理用的生料球,经烘干、预热、焙烧等工艺过程,进行了陶粒填料的合成研究.采用正交试验进行陶粒的制备,测定了所制备陶粒的堆积密度、表观密度、比表面积、筒压强度和磨损率等性能,分析了造孔剂掺量、污泥与膨润土配比、预热时间、预热温度及烧结温度等不同因素对陶粒主要性能的影响.根据作为水处理填料的材料应遵循的原则和对陶粒各性能分析的结果,确定了烧制污泥陶粒的最佳工艺参数:造孔剂掺量5%、污泥与膨润土比例4:6、预热时间30min、预热温度400℃、烧结温度1140℃.扫描电镜照片揭示了陶粒表面和内部孔隙特征及不同烧结温度下陶粒内部孔隙的变化特征
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针对厂坝露天矿高陡边坡滑坡的可能性和影响因素的不确定性,根据现场调查资料及监测数据,首先分析了影响边坡滑坡的五个潜在影响因素,并通过正交实验找出了关键影响因素,分析了影响滑坡的关键作用路径;然后进行回归分析,获得了影响因素与位移矢量间的拟合函数,并在极限状态下数值计算得出一系列岩体强度参数及其对应的位移和安全系数.最终获得了岩体参数和位移矢量之间以及安全系数和位移矢量之间的拟合函数.研究表明,该边坡安全系数在1左右,处于较不稳定状态,应加强监测
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采用旋转圆盘电极,用双脉冲电位法从简单的镀液中电沉积Cu-Ni层状材料。研究了镀液中铜含量、添加剂、转速对镀层的组成和结构的影响,并用扫描电镜和X-射线衍射研究了镀层的形貌和组成。结果表明:镀层由纯铜和含有少量铜的铜镍合金层交替组成;为了降低铜在镍层中的含量。可以采取降低镀液中铜含量和降低转速来实现
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从两个方面对如何更好地绘制开环系统曲线进行了研究:(1)对它的计算方式进行有效的改进,推出实、虚频特性计算通式,它方便于手算,更方便于计算机编程运算;(2)针对快速确定曲线有关形状给出了2个判据,即起始渐近线判据和实、虚频交点判据
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针对人耳的生物特征提出了一种人耳的形状特征和结构特征相结合的识别方法.首先提取外耳最长轴,即外耳轮廓边缘点的最长连线.利用外耳长轴把外耳曲线分成两部分,用最小二乘法对这两段曲线分别进行多项式曲线拟合,拟合多项式函数的系数作为外耳特征向量.同时长轴与内耳曲线的交点作为内耳特征点,特征点之间连线的长度与长轴长度的比值作为内耳特征向量.长轴的相对不变性保证了特征向量具有缩放、平移和旋转不变性.实验结果表明此方法在噪声情况下具有较强的鲁棒性.
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研究了金属切削过程的声发射机理,建立了正交切削条件下的金属切削过程声发射理论模型,即声发射信号能量与切削参数间的关系模型。通过车削加工过程声发射检测实验,证实了模型的正确性
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采用紫外光暴露+冷凝的紫外加速老化试验,结合表面形貌观察测试了纳米SiO2粉体复合聚脲涂层的光老化性能,采用3.5%NaCl溶液浸泡试验测试了涂层的耐海水浸泡腐蚀性能,通过场发射扫描电子显微镜、自腐蚀电位和交流阻抗图谱等分析了不同涂层的耐蚀性能.结果表明:纳米SiO2粉体显著提高了芳香族聚脲涂层的耐蚀性能,自腐蚀电位由-40mV升高至60mV,电化学阻抗模值增加了约一个数量级,涂层进入迅速老化阶段的时间延长了约120h,在3.5%NaCl溶液中的浸泡寿命提高了约600h
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从土壤和活性污泥中筛选到三株絮凝剂产生菌,将其进行双菌混合培养的正交试验,构建出了比单一菌所产絮凝剂絮凝活性更高的复合菌群LH,通过16SrRNA序列分析,初步判定二菌分别为Micrococcus sp.和Paenibacill usvelaei菌.对其性质的初步研究发现,复合菌LH所产絮凝剂MBF-LH为胞外代谢产物,其热稳定性好.LH产絮凝剂的最适碳源、最适培养温度、最适pH值和通气量分别为蔗糖、30℃、pH8和120r/min恒温振荡培养.培养基中添加KCl、CaSO4、K2HPO4能明显提高发酵液絮凝率.絮凝剂MBF-LH处理废水时具有用量少、絮凝率高的特点
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采用一种简便、快速和低温的水热法制备了超级电容器用MnO2微纳米球和微米棒粉体颗粒,并用正交试验和单因素实验对其制备工艺进行了优化。通过X射线衍射、扫描电镜和电化学测试,研究了所得材料的晶体结构、表面形貌和超电容性能.最佳合成工艺条件为:反应温度150℃,KMnO4/MnCl2摩尔比2.5:1.0,反应时间3h,填充率40%。该工艺下所制的样品为α-MnO2,且呈现出空心、表面多孔的微纳米球和微米棒形貌.微纳米球的直径约为0.2-0.8μm,微米棒的直径约为30nm、长约为5μm.在此条件下,所得样品在100、150、200、250和300mA·g-1电流密度下,第5次的放电比电容分别为255、170、133、105和88F·g-1,其等效串联电阻和电荷转移电阻分别为0.37和0.40Ω
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