▪1、PN结的原理和二极管的等效电路。 ▪2、半导体内部载流子运动规律。 ▪3、晶体二极管、晶体三极管、结型场效应 管、绝缘栅型场应管的工作原理和特性曲线

学习要点： •熟悉常用ROM的内部结构和使用方法 •熟悉常用RAM的内部结构和使用方法 •掌握存储器容量的扩展方法（字、位） •了解可编程逻辑器件：PLD、PAL、GAL 10.1 半导体存储器 10.1.1 只读存储器（ROM） 10.1.2 随机存储器（RAM） 10.1.3 存储器容量的扩展 10.2 可编程逻辑器件 10.2.1 PLD的电路表示法 10.2.2 可编程阵列逻辑器件PAL 10.2.3 通用阵列逻辑器件GAL

5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

3.1 半导体三极管（BJT） 3.2 共射极放大电路 3.3 图解分析法 3.4 小信号模型分析法 3.5 放大电路的工作点稳定问题 3.6 共集电极电路和共基极电路 3.7 放大电路的频率响应

4.1 光束的调制原理概述 4.1.1 振幅调制 4.1.2频率调制和相位调制 4.1.3 强度调制 4.1.4 模拟调制与数字调制 4.1.5脉冲编码调制 4.2 直接调制 4.2.1半导体激光器（LD）直接调制的原理 4.2.2半导体发光二极管（LED）的调制特性 4.2.3半导体光源的模拟调制 4.2.4半导体光源的脉冲编码数字调制 4.3半导体激光器的直接调制特性 4.3.1 调制特性 4.3.2 温度特性与自动温度控制 4.3.3 纵模性质 4.3.4 半导体激光器调制特性的实验研究 4.4 LiNbO3晶体电光强度调制特性 4.4.1 LiNBO3晶体横向强度调制原理 4.4.2直流偏压工作点对输出特性的影响 4.4.3 1/4波片对输出特性的影响 4.4.4 调制特性的实验研究 4.5 法拉第效应 4.5.1 实验研究 4.5.2 法拉第效应的应用 4.6 声光技术的发展动态及其应用 4.6.1 声光技术的发展动态 4.6.2 声光技术在激光技术领域中的应用 4.6.3 声光器件在军事中的应用

第三讲半导体极管 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压极管

第7章基本放大电路 7.1半导体二极管 7.2半导体三极管 7.3三极管单管放大电路 7.4场效应晶体管及其放大电路 7.5多级放大电路 7.6差动放大电路 7.7互补对称功率放大电路

第一讲绪论 第二讲半导体基础知识 第三讲半导体二极管 第四讲晶体三极管 第五讲共射放大电路的工作原理 第六讲放大电路的分析方法 第七讲静态工作点的稳定 第八讲晶体管放大电路的三种接法 第九讲场效应管及其放大电路 第十讲多级放大电路

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管(稳压二极管) 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电子器件