研究了Q1030钢在不同加热温度下的奥氏体晶粒长大现象.在一定温度范围内加热时,Q1030钢的部分奥氏体晶粒异常长大而出现混晶现象.分析了位于不同位置的析出相粒子对阻碍奥氏体晶粒长大的作用,用热力学方法计算不同加热温度下析出相粒子的大小和体积分数,并得出了析出相粒子钉扎阻力随加热温度的变化关系.结果表明,在一定温度范围内钉扎阻力迅速减小,导致部分晶粒异常长大,产生混晶现象

以SiO2有序大孔材料制备作为研究对象,系统考察了胶晶模板法中影响前驱物填充率的诸因素,包括填充方法、填充时间和填充次数.研究表明,直接浸渍法易导致大孔结构的收缩、脱落和表面覆盖.本文提出的在模板表面添加盖片再填充的方法有效解决了上述问题.当填充时间为5 min、填充次数为两次时,SiO2有序大孔材料的骨架填充率较高.扫描显微镜(SEM)和分光光度计的表征结果证实,实验成功制备了填充率高达22.53%的大面积SiO2有序大孔材料

一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。 (1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;() (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;() (3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;()

通过相关性数据处理和模糊聚类分析,发现影响大气环境腐蚀性的21种环境因素在相关系数大于0.54的情况下,可明显地聚为5类.在此基础上,进一步通过对逐个因素的分类能力的特征评价,选取大气环境腐蚀性的主要因素(RH>80%时数,SO2沉积速度,水溶性尘降,Cl-沉积速度,NO2浓度),进而在特征空间中进行镀锌层样本的大气环境腐蚀性预测和考评,为今后实现我国大气环境腐蚀性等级评判提供依据

通过建立425mm×320mm连铸大方坯二维凝固传热数学模型,模拟了凝固坯壳的长大过程,并通过窄面射钉实验对数学模型进行了验证,精确得到了任意位置处大方坯凝固坯壳的厚度分布情况及最终凝固终点的位置,发现经典的凝固平方根定律对于连铸大方坯的凝壳长大进程不再适用.回归宽面中心坯壳厚度与凝固时间平方根的关系式发现,结晶器弯月面至二冷区出口,近似为线性关系,符合平方根定律,二冷区出口至凝固终点,二者为非线性关系,不再符合平方根定律

5.1.1在甲类、乙类和甲乙类放大电路中,放大管的导通角分别等于多少?它们中哪一类放 大电路效率最高? 解在输入正弦信号情况下,通过三极管的电流ic不出现截止状态(即导通角=2)的称 为甲类;在正弦信号一个周期中,三极管只有半个周期导通(=x)的称为乙类;导通时间大于半 周而小于全周(<0<2)的称为甲乙类。其中工作于乙类的放大电路效率最高,在双电源的互 补对称电路中,理想情况下最高效率可达

第五讲大数定律与中心极限定理 内容提要 (1)依概率收敛(定义及判断) (2)Chebyshev不等式(计算及应用) (3)大数定律(Chebyshev大数定律, Bernoul li大数定律 Khinchine大数定律) (4)中心极限定理(Lindeberg--levy中心极限定理, De Moivre-Laplace-中心极限定理,近似计算)

一、选择正确答案填入空内。 (1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是 A.输入电压幅值不变,改变频率 B.输入电压频率不变,改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 (2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是,而 低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C半导体管的非线性特性 D放大电路的静态工作点不合适

以国内某大型钢铁企业空分厂为研究对象，基于混合整数线性规划方法建立以氧气放散量最小为目标的生产调度模型，并在此基础上以高炉休风期间的氧气生产调度为案例，分析了高炉开始休风期间管网初始压力对氧气放散率的影响.高压管网初始压力大于临界值时，系统出现氧气放散，放散率随初始压力上升呈近线性增大关系，高压管网缓冲容量越大，该线性关系斜率越大.有氧气放散的情况下，对于同一高压管网初始压力，高压管网缓冲容量越大，系统放散率越小.该趋势随着高压管网初始压力增大变得越来越不明显，当初始压力等于最高压力时，高压管网缓冲容量的大小对放散率没有影响

8.1半导体三极管 8.2放大电路的组成和基本工作原理 8.3放大电路的基本分析方法(一)工程估算法 8.4放大电路的基本分析方法(二)图解法 8.5工作点稳定的放大电路 8.6射极输出器 8.7多级放大电路 8.8功率放大器