采用水热法系统研究了基底预处理(基底铺膜、不铺膜吹氮气处理和盐酸浸泡处理等)方式对于制备ZnO微/纳米管阵列的影响;结合ZnO晶体的微观结构,探讨了基底特征与ZnO微/纳米管阵列生长的内在联系.结果表明,采用高纯氮气和盐酸浸泡预处理基底均能制备得到ZnO微/纳米管阵列,并且这两种预处理方法制备出的纳米管在尺寸、形貌和分布上有所不同.ZnO微/纳米管成管机理研究表明,ZnO顶部锌终端对于生长微/纳米管起着决定性作用

第2、3章小结 一、两种半导体放大器件 双极型半导体三极管(晶体三极管BJT)两种载流子导电 单极型半导体三极管(场效应管FET)多数载流子导电

9.1 角度调制 9.1.1 概述 9.1.2 调角波性质 9.1.3 调频方法 9.1.4 变容二极管调频 9.1.5 电抗管调频 9.1.6 晶体振荡器直接调频 9.1.7 间接调频 9.2 角度调制信号的解调 9.2.1 调频信号的解调方法 9.2.2 振幅鉴频器 9.2.3 相位鉴频器 9.2.4 比例鉴频器 9.2.5 正交鉴频器

结型场效应管 场效应晶体三极管是由一 种载流子导电的、用输入电压控 制输出电流的半导体器件。从参 与导电的载流子来划分，它有自 由电子导电的N沟道器件和空穴 导电的P沟道器件

氢气氛下区熔拉制的鼓棱无位错硅单晶,原生晶体经化学腐蚀,观察不到缺陷,包括微缺陷。但当块状热处理后,经腐蚀常常观察到尺度mm数量级的氢致缺陷(φ型缺陷、麻坑)和微缺陷氢沉淀。为了消除这些缺陷,原生单晶需片状供应,片厚应小于1mm,或中照后的区熔(氢)硅单晶,片状,940℃、0.5h退火,均能消除之。在电力电子器件的应用中,管芯等级合格率可保持在80%以上

一、填空(本题25分) 1.把电压信号转换为电流输出的电路称 放大电路,A=1o/ 称 利用 放大电路可将电流信号转换为电压信号, 其增益表达式为 2.晶体三极管的输出特性曲线一般分为三个区,即: ,要使三极管工作在放大区必须给发射 结加_ 、集电结加

一、填空(本题25分) 1.对共射、共集和共基三种组态放大电路,若希望电压放大倍数大,可选 用 组态;若希望带负载能力强,应选用 组态;若希望高頻 性能好,应选用 组态。 2.晶体三极管的输出特性曲线一般分为三个区,即: 要使三极管工作在放大区必须给发射 结加 、集电结加

本学期实验题目 绪论 实验数据的处理 液氮比汽化热的测量 碰撞打靶 用扭摆法测定物体转动惯量 LCR串联谐振电路 直流电桥 圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场 数字示波器的使用 锑化铟磁阻传感器的特性测量 二极管的伏安特性测量及应用 量子论实验—原子能量量子化的观察与测量 X射线透视与 NaCl晶体结构分析 透镜焦距的测量 牛顿环 光的衍射 计算机实测物理实验 用计算机实测技术研究冷却规律 用计算机实测技术研究声波和拍

§3-1 概述 一、 振荡器的功能 二、 振荡器分类 三、反馈振荡器的含义与用途 §3-2 反馈振荡器的工作原理 一、构成框图 二、工作原理 : 包括 平衡条件起振条件 §3-4 晶体振荡器 §3-3 LC正弦波振荡器 一、 变压器反馈式振荡器 二、 三点式振荡器 三、差动对管振荡器 四、改进型电容三点式振荡器 五、频率稳定 §3-5 RC正弦波振荡器

采用液相沉积法在Al板上制备了TiO2纳米管阵列薄膜,并在不同温度下进行了热处理.用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)等手段对样品进行了表征.结果表明:未经过热处理的TiO2薄膜的晶体结构是非晶态的;在400℃的空气中焙烧2h,薄膜出现锐钛矿相;650℃空气中焙烧2h后,薄膜仍然保持着良好的管状结构.薄膜中Al2O3的存在,抑制了TiO2晶粒的长大,提高了薄膜的热稳定性