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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）课堂讨论2

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）课堂讨论1

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2.3.1 CMOS IC中的寄生效应 2.3.2 SOI工艺 2.3.3 CMOS版图设计规则

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 2.1.2 MOS结构和分类  2.2.1 N阱CMOS工艺  2.2.2 深亚微米CMOS工艺

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一、三相全控桥式整流电路,输入三380V,主电变器△/Y接法,U2-30V,直流母线市联平波电扇足够大,出-50v1.5w 1.画出主电路原理图(器他要编号 2.不计裕,求品问管的电流定额和压定额 3求变器副边,原边线电流2和网低输入相电流

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源（考试试卷）模拟集成电路原理与设计

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源（考试试卷）数字集成电路原理与设计

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源（教学大纲）模拟集成电路原理与设计

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源（教学大纲）数字集成电路原理与设计

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§10-1 晶体三极管的组态 §10-2 共发射极组态  共发射极组态的参量  共发射极电路的扩展北京大学：《电路分析原理 Circuit Analysis》课程电子课件_第十章晶体三极管放大电路基本组态 §10-1 晶体三极管的组态 §10-2 共发射极组态（1/2）