1 一导体球体半径为R1，外罩一半径为R2 的同心薄导体球壳，外球壳所带总电荷Q， 而内球的电势为V0 ，求此系统的电势和电 场分布

电势零点的选取:有限带电体以无穷远为电势零点,实际问题中常选择地球电势为零

第一节 电场与电场强度 第二节 静电场的高斯定理 第三节 电势与电势差 第四节 静电场中的电介质

3.1 支路分析法 3.2 网孔分析法 3.3 节点分析法 3.4 独立电路变量的选择与独立方程的存在性 3.5 回路分析法和割集分析法 3.6 电路的对偶特性与对偶电路

一、电荷的量子化 1种类:正电荷,负电荷 2性质:同种相斥,异种相吸 3单位:库仑(C) 4电荷的量子化:

7.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 7.2 差分式放大电路 7.3 差分式放大电路的传输特性 *7.4 带有源负载的差分放大电路 7.5 集成运算放大器 7.6 实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路的影响 7.7 变跨导式模拟乘法器 7.8 放大电路中的噪声与干扰

1、点电荷所受的电场力 点电荷在电场中所受的力大小等于qE，方向取决与电量的正负

➢ 机电一体化系统基本知识； ➢ 机电系统总体设计； ➢ 机电系统机械设计技术； ➢ 控制系统设计技术； ➢ 伺服系统设计技术。 ➢ 检测技术； ➢ 机电一体化技术的应用

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

§17.1 反馈的基本概念 §17.2 放大电路中的负反馈 §17.3 负反馈对放大电路的影响