1.在上机习题的第一题中,水压的定义问题,我们上机指示书中的载荷是按照1000*{x}给 的,但是当这个载荷施加到斜边的时候,请问{}的取值是从斜边的底部为零取起呢, 是从顶部,还是从系统坐标的原点取起?我们在自己做这个题目的时候是不是还得自己 计算水下压强,那么g取98还是10? 答:在 project22的结点压力定义公式1000*{x中的x是结点的x坐标值。根据水的密度可以 算出水压与深度的关系为9800N/m/m,重力加速度取9.8

一、实验目的: 1 了解TTL与非门主要参数的测试 2 了解集成元器件引脚的排列特点 3 掌握TTL与非门逻辑功能的测试方法 4 数字电路学习机的介绍

通常把生产实践与科学实验中的结果,如产品的性能, 产量等统称为指标,影响指标的因素用A,B,C,…,表示。 因素在试验中所取的不同状态称为水平,因素4的不同水 平用A1,A2表示。 在一项试验中,如果让一个因素的水平变化,其他因素 水平保持不变,这样的试验叫做单因素试验。处理单因 素试验的统计推断问题称为单因素方差分析或一元方差 分析。类似地可定义多因素方差分析。本节先介绍单因 素方差分析

一、多无线性回归模型 上节讨论了一元线性回归模型,在实际问题中,遇到更多的是讨论随机变量Y与非随机变量x,x2,…,x之间的关系,本节假设它们具有线性关系

1.六管单元 (1)组成 T1、T3:MOS反相器53 T2、T4:MOS反相器

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我们知道横截面上的τOQ;但用材料力学的方法不易直接推出τ 的分布规律。我们注意到dM/dx=Q;当(5-2)式推广应用于横力弯曲时, 我们有可能由梁段的部分微元x方向的平衡求出τ;再由剪应力互等 定理换成τ。(如下图):

4.3.1存储原理与技术指标 1读写原理存储介质:磁层读/写部件:磁头 (1)写入在磁头线圈中加入磁化电流(写电流),并使磁层移动,在磁层上形成连续的小段磁化区域(位单元)。演示

一、初步认识电阻器、电容器、二极管、稳压二极管的基本特性 二、建立系统和地(GND)的概念。区别电路测量“系统”和普通电路原理图

设有两个变量X和Y,其中X是可以精确测量或控 制的非随机变量,而Y是随机变量,Y随X的变化而变 化,但它们之间的变化关系是不确定的.给定X的取 值,Y服从一定的概率分布,则称随机变量与变量X 之间存在着相关关系 设进行n次独立试验,测得试验数据如下: