对于中规模、大规模和某些VLSI的IC,前面介绍的基本光刻工艺完全适用,然而 ,对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代,某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括:光学设备的物理局限;光刻胶分辨率的限制;晶园表面的反射现象和高低不平现象等
16天记住7000考研单词 第一天 1. With my own ears I clearly heard the heart beat of the nuclear bomb 我亲耳清楚地听到原子弹的心脏的跳动。 2. Next year the bearded bear will bear a dear baby in the rear 明年长胡子的熊将在后方产一头可爱的小崽 3. Early I searched through the earth for earthware so as to research in earthquake 早先我在泥土中搜寻陶器以研究地震