用动电位极化方法研究了3种不同化学镀工艺得到的Ni-P非晶态合金镀层,在1mol/1NaOH碱性介质中的阳极极化行为,并通过XPS分析了不同极化电位下的表面膜.结果表明:在所研究的体系中不存在随P增加阳极溶解电流下降的规律;尽管合金表面存在H2PO2-和PO4-离子,但并没有有效地抑制Ni-P合金的阳极溶解。P的强烈的水化作用可能是导致非晶态Ni-P合金的阳极溶解电流比纯Ni更大的主要原因

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

1、实验准备及常规仪器设备使用 2、分立元件及负反馈放大电路设计 3、运放基本应用电路 4、测量放大器 5、晶体管输出特性曲线测试电路 6、LC三点式振荡器 7、模拟乘法器及调幅与检波电路

3－1 概述 3-2 假定输入为正弦量的算法 3-3 突变量电流算法 3－4 选相方法 3-5 傅里叶级数算法 3-6 R-L模型算法 3-7 故障分量阻抗继电器 3-11 算法的动态特性

热探测器 光子探测器 热敏电阻型 热电偶型 热释电型 高莱气动型 外光电探测器 光电导探测器 光生伏特探测器 光磁探测器

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

§3.1 概述 §3.2 单母线接线 §3.3 双母线接线 §3.4 无母线接线 §3.5 限制短路电流的方法 §3.6 典型主接线分析

电磁感应定律和全电流定律 正弦电磁场 电磁辐射 电磁场基本方程、分界面上的衔接条件 动态位及其积分解 坡印廷定理和坡印廷矢量

本项目将介绍开关的种类、型号命名、参数、常用的各种开关及其特点；接插件的分类、性能、参数、各种常见的接插接及其特点；继电器的分类、主要参数、常见的各种继电器的工作原理、特点及应用

转速、电流双闭环直流调速系统及其静特性； 双闭环直流调速系统的数学模型和动态性能分析； 调节器的工程设计方法； 按工程设计方法设计双闭环系统的调节器 弱磁控制的直流调速系统