1、双键(C = C)的结构 π键特点： a．π键不能独立存在；与σ键共存； b．π键不能旋转；产生几何异构； c, π键富含电子；易与缺电子试剂反应； d, π键受原子核控制弱；易被极化

利用弱腐蚀倾向的溶液环境，控制20CrMnTi钢产生有限的亚稳态蚀点分布.运用电化学噪声法，研究了20CrMnTi钢亚稳态蚀点的萌生规律，结合ANSYS有限元计算，导入真实腐蚀形貌，对比研究了不同腐蚀条件下蚀孔周边的应力分布与裂纹萌生风险.结果表明，20CrMnTi具有较高的点蚀敏感性，其亚稳态蚀点集中在杂质相边缘优先形核，随Cl-浓度的升高，点蚀孕育期明显缩短，点蚀敏感性增大.不同Cl-浓度下引起的形核速率上升会缩短蚀点间距，表面微裂纹易连接蚀点而发生扩展，增大裂纹萌生风险

ZnO作为一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料极具开发潜力和应用价值.随着图案化技术的不断发展优化,ZnO纳米棒阵列的精确可控制备逐步得到实现.本文综述了利用激光限域技术制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法,并详述了其在太阳能电池和光电化学电池中的应用.激光干涉法制备的ZnO纳米阵列比表面积大且具有直线传输的优势,运用于光伏器件和电化学电池中增加了光吸收同时利于载流子传输,器件性能显著提高.图案化ZnO纳米棒阵列具有可控的三维空间结构,广泛应用关于各类能源器件中,具有极大的研究和应用价值

本文中以氨基乙酸为络合剂,在铜基上电沉积制取了光亮的Fe-Cr-P合金镀层。X衍射相分析表明,镀层呈非晶态结构。镀层中的Fe、Cr、P含量分别用比色法测定。在非晶态Fe-Cr-P合金电镀过程中,镀液pH值的变化对镀层组成有较大的影响,适宜的pH值范围为1.2~1.8。提高电镀液温度不利于Cr的析出,电镀时阴极过程处于电化学控制区域

应用俄歇能谱仪(AES)研究了Ni-Cr-Co基高温合金中微量Mg的偏析规律。结果表明,偏析于晶界的Mg具有平衡偏析的特性;同时Mg的这种偏析在900℃附近速度最快。分析认为,这是由于偏析热力学和动力学共同控制的结果,也与该合金中碳化物M6C在晶界上析出有内在联系。研究中还发现,Mg在晶界上分布是不均匀的,且这种不均匀性随时效时间的延长而增加。研究中还应用透射电镜能谱(TEM)分析了Mg的分布,得到与AES类似的结果,进一步验证Mg在奥氏体晶界偏析的上述特性

本文采用 MCS-51系列单片机构成同步电动机晶闸管励磁系统的自动投磁检测,电压负反馈强励磁及晶闸管三相全控桥触发电路的硬件、软件实现方法。实验结果表明:工作可靠,系统大大简化,有推广价值

本文报导用于计算气体-颗粒两相三维湍反应流的矢性流函数-涡量(Ψ-ω)法,其气相控制方程及用以封闭时均涡量输运方程的湍流模型,矢性流函数的性质,对煤粉燃烧室及电站煤粉锅炉计算获得的结果,并讨论了一些待进一步研究的问题

采用物理气相沉积的方法通过控制生长参数,在硅衬底上获得不同形貌的氧化锌纳米阵列.在金属场发射系统中测量了它们的场致电子发射性能,发现阴极发射电流不稳定主要是由于氧化锌纳米阵列的不均匀性造成的.采用高压励炼技术可以增强氧化锌场发射的稳定性,使电流波动明显降低.此外,形貌对氧化锌纳米阵列的场发射电流密度和阈值电压有明显影响,而且不同形貌的氧化锌纳米阵列的抗溅射能力也不相同

应用金相显微镜和扫描电镜以及X射线能谱分析了K6合金铸造叶片的质量问题。结果表明:K6合金铸造叶片报废的主要原因在于非金属夹杂物在浇注成型时混入合金叶片中造成的。因此需要严格控制K6母合金质量和选择合理的重熔浇注工艺参数

对TPC(Terminal Process Control)技术在50t电弧炉上的应用与实践进行了介绍,对工艺存在的问题进行了分析并介绍了对用氧供电的控制.TPC技术的应用解决了电弧炉高铁水比例冶炼存在的水冷炉盖粘钢、冶炼周期长等工艺问题,使终点成分和温度同时命中率由67%达到91%,各项技术经济指标提升明显,供电时间每炉缩短6min,吨钢冶炼电耗降低58kW·h,电极消耗降低0.3kg,钢材的全氧含量降低