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以高浓度铜氰溶液为研究对象,通过添加次亚磷酸盐,进行了高碱条件下电积回收铜与氰化物的研究.研究了次亚磷酸盐用量、温度对铜和氰化物沉积过程的影响;利用线性循环伏安、恒电位电解并结合X射线衍射分析阳极沉淀物的物相,分析了阳极反应机理和次亚磷酸盐抑制氰化物分解的机理;采用电解后余液进行金的氰化浸出实验.结果表明:次亚磷酸盐可有效抑制电沉积过程中氰化物的分解,其抑制效果随温度升高而增强.电解过程中阳极表面生成的Cu2+是造成氰化物分解的主要原因;次亚磷酸盐通过优先与Cu2+发生氧化还原反应从而抑制氰化物的分解.处理后余液对金的氰化浸出无不良影响,通过电解可综合回收铜氰废水中金属与氰化物,处理后废水可循环利用
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真空电弧重熔镍基高温合金GH220,自耗电极端部熔化区\突出环\内部的镁分布基本均匀;而熔化液层及液固两相区的镁分布不均匀,从熔化液层表面到原始电极区镁含量显著增高。熔化液层中距表面约0.3毫米内的镁含量[Mg]s和重熔锭镁含量[Mg]i均与电极原始镁含量[Mg]e呈直线关系,本试验条件下,[Mg]s=0.18[Mg]e;[Mg]i=0.30[Mg]e。重熔过程的镁挥发主要发生于电极端部熔滴形成阶段,挥发过程主要受控于镁由原始电极向熔化液层-气相界面迁移的速度,传质系数K12=0.107厘米·秒-1。真空感应熔炼GH220,镁挥发受液相边界层中扩散与界面挥发反应的混合控制,并非受控于气相边界层中镁的扩散。在试验条件下,液相边界层中镁的扩散与界面挥发反应总传质系数K23=10-1~10-2厘米·秒-1,而气相边界层中镁扩散的传质系数K4=47.17厘米·秒-1。根据(d[Mg])/dτ=-K23·VA及-K23与工艺参数的关系,建立了镁挥发的数学模型,即[Mg]e与镁加入量、挥发温度、气相压力、保持时间、合金液面面积、溶体体积之间的定量关系式。此模型在实验室和生产条件下均得到了很好的验证,可用于调整真空感应熔炼的工艺参数,实现有效的控制合金镁含量
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11.1常用控制电器 11.2鼠笼式电动机直接起动的控制线路 11.3鼠笼式电动机正反转的控制线路 11.4行程控制 11.5时间控制
文档格式:DOC 文档大小:29.5KB 文档页数:1
1、试分析以下电路,并说出其测量特点。 2、可用电容传感器测量哪些物理量? 3. 试绘出检测不同物质含水量的电容传感器的可能结构
文档格式:PPS 文档大小:805.5KB 文档页数:60
9.1 直流稳压电源的组成和功能 9.2 单相整流电路 9.3 滤波电路 9.4 倍压整流电路的工作原理 9.5 稳压电路 9.6 集成稳压电源
文档格式:DOC 文档大小:21.5KB 文档页数:1
1、什么是测量误差?什么是仪表的基本误差?什么是仪表的附加误差?仪表的准确度等级是否代表测量的准确度?
文档格式:PDF 文档大小:125.94KB 文档页数:10
2.1列写如图题2.1所示电路中以电源电压U作为输入,电容C1,C2上的电压U和U作为输出的状态空间表达式
文档格式:PPT 文档大小:920.5KB 文档页数:31
5.1常用控制电器 5.2三相异步电动机的基本控制电路 5.3安全用电
文档格式:PPT 文档大小:1.16MB 文档页数:24
正弦波发生电路能产生正弦波输出,它是在 放大电路的基础上加上正反馈而形成的,它是各 类波形发生器和信号源的核心电路。正弦波发生 电路也称为正弦波振荡电路或正弦波振荡器
文档格式:PDF 文档大小:726.07KB 文档页数:7
采用伪半固态触变成形工艺制备了40%、56%和63%三种不同SiC体积分数颗粒增强Al基电子封装材料,并借助光学显微镜和扫描电镜分析了材料中Al和SiC的形态分布及其断口形貌,测定了材料的密度、致密度、热导率、热膨胀系数、抗压强度和抗弯强度.结果表明,通过伪半固态触变成形工艺可制备出的不同SiC体积分数Al基电子封装材料,其致密度高,热膨胀系数可控,材料中Al基体相互连接构成网状,SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中.随着SiC颗粒体积分数的增加,电子封装材料密度和室温下的热导率稍有增加,热膨胀系数逐渐减小,室温下的抗压强度和抗弯强度逐渐增加.SiC/Al电子封装材料的断裂方式为SiC的脆性断裂,同时伴随着Al基体的韧性断裂
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