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 1、放大电路的频率响应  2、高频等效模型  3、多级放大电路的频响  4、集成运放的频率补偿
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第四章集成运算放大电路自测题 一、选择合适答案填入空内。 (1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为 A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小 C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大 A.高频信号 B.低频信号 C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的
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§ 5.1放大电路频率特性的基本概念 §5.2复频域分析法 §5.3单级放大电路的频率特性
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§ 5.1放大电路频率特性的基本概念 §5.2复频域分析法 §5.3单级放大电路的频率特性
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5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较
文档格式:PPT 文档大小:1.61MB 文档页数:59
第五章反馈 5.1负反馈放大电路的组成和基本类型 5.2负反馈对放大电路性能的影响 5.3负反馈对放大电路应用中的几个问题
文档格式:PDF 文档大小:1.44MB 文档页数:66
海南大学:《电子技术基础》课程教学资源(实验指导)电子电路CAD
文档格式:PDF 文档大小:991.92KB 文档页数:48
海南大学:《电子技术基础》课程教学资源(实验指导)电子电路仿真实验——Electronics Workbench的应用
文档格式:PPT 文档大小:3.71MB 文档页数:52
3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件
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3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件
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