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浙江大学:《单片机原理与接口》第七章 80C51单片微机的串行口原理及应用
文档格式:PPT 文档大小:1.1MB 文档页数:99
7.1 串行数据通信概述 7.2 80C51串行口及控制
多电子原子体系Stark效应
文档格式:PDF 文档大小:316.36KB 文档页数:4
首先证明张量展开的一般公式,其次将张量展开的一般公式应用到Stark效应中。计算出电四极矩张量的哈密顿算符的矩阵元,并计算出原子在外电场中能级位移量,计算结果与曾给出的一种标准的计算方法的结果相一致
《制冷装置设计》第6讲 制冷机器设备的选型(2)
文档格式:PPT 文档大小:1.26MB 文档页数:22
第三节冷凝器的选型计算 一、选型的一般原则 1、水源丰富,但水质较差或水温较高的地区,宜选用立式冷凝器; 2、水温较低,水质较好的地区,可采用卧式冷凝器和分组式冷凝器; 3、水源不足,水质较差,而空气相对湿度较低的地区,应采用淋水式冷凝器; 4、对于相对湿度较低,又缺水的地区,宜采用蒸发式冷凝器; 5、采用循环水时,不受上述原则的限制
氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化
文档格式:PDF 文档大小:485.65KB 文档页数:5
通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体
闪速燃烧合成的Fe-Si3N4中FexSi粒子的形成机理
文档格式:PDF 文档大小:914.44KB 文档页数:5
采用SEM、EDS等手段研究了闪速燃烧合成的氮化硅铁及其原料FeSi75的组成、结构,并结合闪速燃烧合成工艺和热力学分析,揭示氮化硅铁中FexSi粒子的形成机理.结果表明:在以74μm的FeSi75氮化制备氮化硅铁过程中,金属硅和ξ(FeSi2.3)相中部分硅氮化为氮化硅,而氮化硅铁中FexSi粒子则来源于ξ相的氮化;当ξ相被氮化到其中的[Si]摩尔分数降低近25%时,[Si]的活度aSi趋于0,氮化趋于平衡,ξ相中不能被继续氮化的部分即为FexSi粒子,其Fe:Si原子比例大约为3:1;FexSi粒子的大小、均匀分布状况与ξ相颗粒粒径大小及分布状况有关
《微机原理与接口技术》课程教学资源(PPT课件)第二章 微型计算机概论(2/2)
文档格式:PPT 文档大小:613KB 文档页数:53
除采用磁、光原 CPU 理的辅存外,其 它存储器主要都 CACHE 是采用半导体存 储器
脉冲电流对热处理过程中非金属相形态的影响
文档格式:PDF 文档大小:1.6MB 文档页数:5
以铝硅合金和球墨铸铁为研究对象,分别采用正常热处理、室温及高温下施加脉冲电流处理的方法,研究了脉冲电流对固态金属中非金属相形态的影响.结果表明:在脉冲电流处理下,铝硅合金中粗杆状共晶硅的粒化速度加快;球墨铸铁经脉冲电流处理后,原有石墨的直径没有明显增大,石墨的平均似圆度略有增加,组织中出现了新生的球状小石墨;在脉冲电流作用下非金属相周围位错的行为及原子的扩散是决定非金属相形态的主要原因
《中国旅游地理》课程教学资源(PPT课件)第一章 绪论、地球大气与飞行、航空运输系统、航空运输布局
文档格式:PPT 文档大小:125KB 文档页数:58
第一节地球与地球运动 第二节大气与大气运动 第三节影响飞机飞行的天气原因 第一节航空运输系统的发展及其特征 第二节飞机的特性 第三节航空港 第四节航空运输的组成与管理 • 第一节航空布局的运输原则 • 第二节影响空运布局的基本因素 第三节世界主要航线的分布 第四节世界航空港的分布 第一节 旅游地理学的形成和发展 第二节 旅游地理学的性质、特点和研究内容 第三节 中国旅游地理
《单片机原理及应用》课程教学资源(PPT教学课件)第一章 微型计算机基础知识
文档格式:PPT 文档大小:322.5KB 文档页数:40
1.1微型计算机的组成及工作原理 1.1.1微型计算机中的基本概念 1微处理器 2.微型计算机 (1)单片微处理机 (2)通用微型计算机 3.微型计算机系统
《供配电技术》第四章(4-1) 短路的原因、后果及其形式
文档格式:DOC 文档大小:12.47MB 文档页数:58
一、短路的原因 二、短路的后果 三、短路的形式
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