本章节主要讲解中小型电扩声系统的组成与基本配接；扬声器的布置方法以及调音的基本方法

一、静电场力所做的功 点电荷的电场

4.1 IGFET 4.2 JFET 4.3 型号 4.4 FET放大电路 4.5 小结与基本要求

第一节 整流滤波电路 第二节 晶体管稳压电路 第三节 直流电压变换器 第四节 可控硅

一、列写图示各电路的网孔方程和节点方程

四、多电子原子结构与元素周期律 1多电子原子轨道的能级次序 2屏蔽效应和钻穿效应 3核外电子排布与元素周期律 五、元素某些基本性质的周期性变化规律 1原子半径核离子半径 2电离能核亲合能 3电负性

功率管是电路中最容易受到损坏的器件。损坏的主要原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值。而晶体管的耗散功率取决于管子内部结温T。当T超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧坏。一般情况下,硅管允许结温为120~200℃,锗管为85℃左右(具体标准在产品手册中给出)

中国科学技术大学：《电路》课程教学资源（PPT课件）第4章 非线性直流电路 4.1 非线性二端电阻元件 4.2 非线性直流电路方程

中国科学技术大学：《电路》课程教学资源（PPT课件）第3章 线性直流电路 3.13 Y-△电阻网络的等效变换