点击切换搜索课件文库搜索结果(3506)
文档格式:PPT 文档大小:393KB 文档页数:49
计算机病毒的防御对网络管理员来说是个望而生畏的任务。特别是随着病毒的越来越高级,情况就变得更是如此。目前,凡千种不同的病毒不时地对计算机和网络的安全构成严重威胁。因此,了解和控制病毒威胁的需要显得格外的重要,任何有关网络数据完整性和安全的讨论都应考虑到病毒
文档格式:PDF 文档大小:6.91MB 文档页数:282
第一章 度与不动点 第二章 锥与正不动点 第三章 单调算子 第四章 凸分析与非光滑分析 第五章 非线性最优化 第六章 变分不等式 第七章 临界点理论 第八章 非线性动力系统
文档格式:PPT 文档大小:644.5KB 文档页数:133
第一节 概述 第二节 大豆形态解剖特征 第三节 大豆的生长发育及产量形成 第四节 大豆对环境条件的要求 第五节 大豆产量限制因素 第六节 大豆高产栽培技术 第七节 大豆三垄栽培技术 第八节 夏大豆的生育特点和栽培要点
文档格式:PPT 文档大小:721KB 文档页数:10
16.1离子选择性电极 16.1.1膜电位 膜电位=扩散电位(膜内)+ Donnan电位(膜与溶液之间) 扩散电位:电荷分布不均匀而产生的电位梯度 道南电位:膜存在使两相界面电荷分布不均产
文档格式:PPT 文档大小:1.16MB 文档页数:24
为了克服RSFF的不定状态,引入D、JK、T和 T’四种形式的钟控四门触发器。但四门FF由于 存在着严重的空翻问题,而不能在实际中应用。 为了既解决同步问题又能防止空翻现象, 于是引出主从FF和边沿FF
文档格式:PPT 文档大小:729KB 文档页数:38
数字电路根据其工作特点和结构的不同可以分为两大类: 组合电路——不具备有记忆功能。 时序电路——具备有记忆功能
文档格式:PPT 文档大小:533KB 文档页数:61
在宋明理学的发展过程中,与朱熹理学对 立的心学,始于南宋时的陆九渊,形成于明代 的王守仁。虽然王守仁的学说与陆九渊有着一 定的差异,但他们都以“心”为本体,学术界 统称为陆王心学,该学派的形成不仅有社会思 想的大气候,而且与程朱理学也存在某种相互 刺激的关系。因此,我们探讨陆王心学不能孤 立地进行,而应该联系程朱理学一起加以考察
文档格式:DOC 文档大小:130.5KB 文档页数:6
第8章数据处理 第二单元直方图 一、学习目标 了解用直方图的方法处理数据. 二、内容讲解 当数据很多的时候,如何来处理数据?这包括两个方面的问题:从一个角度 来说,若数据很多,计算数据的平均数和方差是很麻烦的,或者说不必要计算精确 的特征数;第二个问方面,我们不满足计算数据的特征数,我们还要知道数据的全 貌
文档格式:PPT 文档大小:1.37MB 文档页数:56
通过本章的学习,将能够: 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响; 2. 对PN结进行描述,讨论其重要性,并解释其反向偏压和正向偏压的不同; 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能,偏压、结构及应用; 4. 描述 CMOS 技术的基本特征,包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别; 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质; 7. 列举一些集成电路产品,描述其各自的一些应用
文档格式:PPT 文档大小:1.8MB 文档页数:68
本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备,重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习,将能够: 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积(CVD)反应的8个基本步骤,包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制,解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统,解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性,给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质
首页上页344345346347348349350351下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 3506 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有