一.亲电加成反应 (一).亲电加成反应(Electrophilic Addition) 1.正碳离子机理 2.翁型离子机理 3.三分子加成机理 4.炔烃的亲电加成

4.1反馈的基本概念及判断方法 4.2负反馈放大电路的一般分析方法 4.3负反馈对放大器性能的影响

1、熟练掌握基本RS触发器的工作原理、 逻辑功能,及钟控RS触发器、JK触发器、D触发器的逻辑功能、时间波形图、特性方程。 2、理解钟控RS触发器、JK触发器、D触发器电路的工作原理、特点、相互之间的转换及常用JK触发器、D触发器集成芯片的使用。  第1、2学时：基本RS触发器  第3、4学时：钟控触发器  第5、6学时：集成触发器

9.1 集成运算放大器的构成 9.2 放大电路中的负反馈及应用 9.3 集成运算放大器的线性应用 9.4 正弦波振荡器 9.5 集成运算放大器的非线性应用 9.6 集成功率放大器 9.7 三端集成稳压器及应用 9.8 集成运放的线性应用实验 9.9 RC正弦波振荡器实验

奇异信号 拉普拉斯变换的定义和收敛性 拉普拉斯变换的基本性质 拉普拉斯反变换的求解

7.1 电波传播的基本概念 7.2 视距传播 7.3 天波传播 7.4 地面波传播 7.5 不均匀媒质的散射传播

1.4场效应管 场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流 的一种半导体器件。 它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管

热探测器 光子探测器 热敏电阻型 热电偶型 热释电型 高莱气动型 外光电探测器 光电导探测器 光生伏特探测器 光磁探测器

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

§1. 金属自由电子论的物理模型 §2. 能级和轨道密度 §3 电子气体的热容 §4. 电导与欧姆定律 §5. 电子在电磁场中的运动 §6. 金属热导率 §7. 自由电子模型的局限性