2. 直流传输特性曲线 c区：νI 0(小)，A′→B点

(一)、CMOS反相器工作原理 CMOS电路的结构特点是: 一个N沟道管和一个P沟道管配 G 对使用,即N、P互补(Comp- T lementary)

第六章时序逻辑电路 6.1时序逻辑电路的基本概念 一、时序逻辑电路的结构及特点 时序逻辑电路———任何一个时刻的输出状态不仅取决于当时的输入信号,还与电路的原状态有关。 时序电路的特点: (1)含有具有记忆元件(最常用的是触发器) (2)具有反馈通道

3–1 结型场效应管 3–2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3–3 场效应管的参数和小信号模型 3–4 场效应管放大器

第三节 有端接的双口网络 有端接情形下的双口网络， 双口网络分析与应用。 第七章：链式网络与传输线 第一节 传输线 链式网络: 传输线, 均匀无耗传输线

电路菜单项如图 1-4 所示，可以实现对元件的位置、属性的设置，子电路的生成，电路图大小的缩放，电路图属性的设置，分析方法的选择

7. VHDL代码中的时序逻辑和组合逻辑表达 8. 语句的执行时间问题 （顺序语句 & 并行语句） 9. 基本单元电路的VHDL代码 （三态门，双向缓冲器，计数器，D触发器，译码器……） 11. 复杂代码结构 (子程序; 元件; 块; 包) 12. 属性定义语句 13. 库的使用

一、与功放比较(从能量角度) 1．功率放大器 将直流电源提供的直流能量转换为按信号规律变化的交 变能量。 特点：被动地，需输入信号控制 2．正弦波振荡器(Sinewave Oscillator) 将直流能量转换为频率和振幅特定的正弦交变能量。 特点：自动地，无需输入信号控制

2.4 高频功率放大器 2.4.1 高频功率管及大信号输入和输出阻抗 2.4.2 高频功率放大器设计举例

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展