1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

1.半导体电导率 在一般电场情况下,半导体的导电服从欧姆定律:j=E--为电导率 半导体中可以同时有两种载流子,将电流密度写成:j=nq+pqv ,分别为空穴和电子在外场下获得的平均漂移速度 —平均漂移速度和外场的关系:

第一节基本性能第六节串行口 第二节CPU结构第七节与外设的接口 第三节内部总线结构第八节复位与省电 第四节存储器结构第九节中断 第五节在片外围电路第十节自举加载

（1）叠加定理齐性定理 （2）置换定理 （3）等效电源定理 （4）最大功率传输定理 （5）特勒根定理 （6）互易定理

2.1放大模式下晶体三极管的工作原理 2.2晶体三极管的其它工作模式 2.3埃伯尔斯—莫尔模型 2.4晶体三极管伏安特性曲线 2.5晶体三极管小信号电路模型 2.6晶体三极管电路分析方法 2.7晶体三极管的应用原理

一、教学基本要求 1、了解拉普拉斯变换的定义，会用拉普拉斯变换基本性质求象函数。 2、掌握求拉普拉斯反变换的部分分式展开法，.基尔霍夫定律的运算形式、运算阻抗和运算导纳、运算电路

麦克斯韦(1831-1879)英国物理学家 经典电磁理论的奠基人, 气体动理论创始人之一.提 出了有旋电场和位移电流 的概念,建立了经典电磁 理论,预言了以光速传播 的电磁波的存在在气体动 理论方面,提出了气体分 子按速率分布的统计规律 第八章电磁感应电磁场

本章学习重点在TTL和CMOS集成电路的外部特性，主要有两个方面：一是输入与输出之间的逻辑功能；二是外部电气特性及其主要参数。 第一节 标准TTL与非门 第二节 其它类型TTL门电路 第三节 ECL逻辑门电路 第四节 I2L逻辑门电路 第五节 NMOS逻辑门电路 第六节 CMOS逻辑门电路 第七节 逻辑门的接口电路

一.亲电加成反应 (一).亲电加成反应(Electrophilic Addition) 1.正碳离子机理 2.翁型离子机理 3.三分子加成机理 4.炔烃的亲电加成

干扰是除了有用信号之外的一切不需要的信号及各种电磁扰动的总称。发生在电路内部的干扰称为内部干扰，外部来的干扰称为干扰。前面已经讨论了具有起伏性质的内部干扰，本节讨论外部干扰以及抗干扰的措施