四、多电子原子结构与元素周期律 1多电子原子轨道的能级次序 2屏蔽效应和钻穿效应 3核外电子排布与元素周期律 五、元素某些基本性质的周期性变化规律 1原子半径核离子半径 2电离能核亲合能 3电负性

8.1.1 湿度测量技术 8.1.2 湿度及其表示方法 8.1.3 湿度传感器及其特性参数

6–1 反馈的基本概念及基本方程 6–2 负反馈对放大器性能的影响 6–3 反馈放大器的分类及对输入、输出阻抗的影响 6–4 反馈放大器的分析和近似计算 6–5 反馈放大器稳定性讨论 6—6 运算放大器的小信号闭环带宽、压摆率及功率带宽

8.1 放射治疗装置分类 8.2 X线治疗机 8.3 钴-60治疗机 8.4 医用电子直线加速器 8.5 立体定向放射治疗装置γ-刀(Gamma-knife) 8.6 立体定向放射治疗装置X-刀(X-knife)

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

功率管是电路中最容易受到损坏的器件。损坏的主要原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值。而晶体管的耗散功率取决于管子内部结温T。当T超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧坏。一般情况下,硅管允许结温为120~200℃,锗管为85℃左右(具体标准在产品手册中给出)

一、概述 二、电子气的状态密度 三、电子气的费米能级 四、固体的热容 五、电子气的热容 六、晶格振动的热容 七、爱因斯坦模型 八、德拜模型 九、固体的热膨胀 是、固体的热传导

同步辐射特征 横向振荡的稳定性 运动学方程 电子的横向运动 经典回归 二极磁铁与边缘场 横向运动的相椭圆 变换矩阵M和N 弯转磁铁 电子的横向振荡的特性 横向振荡的包络 系统的接受度

3–1 结型场效应管 3–2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3–3 场效应管的参数和小信号模型 3–4 场效应管放大器

1. 传统支付方式 2. 电子支付（网上支付）的概念 3. 电子支付（网上支付）的主要方式 4. 电子支付（网上支付）的安全