灵敏度定义：当给定系统的输出信噪比（ P P so no ）的 条件下，接收机的有效输入信号功率 Psi  的最小值 Psi,min  （或接收机所能检测的最低输入信号电平 Vs,min ）

模拟电子学的研究对象 模拟电子学的研究方法 模拟电子学的应用背景 概述 研究内容的描述 元件的描述 分析方法的一般描述

(一)、CMOS反相器工作原理 CMOS电路的结构特点是: 一个N沟道管和一个P沟道管配 G 对使用,即N、P互补(Comp- T lementary)

1. 研究背景及研究内容 2. 器件结构及气敏测试系统 3. PANI及PANI/TiO2敏感薄膜的制备、表征及气敏特性研究 4. PANI/SnO2和PANI/SnO2-TTAB薄膜的气敏特性研究 5. 结论

 电流镜  差分对  差分电压放大器和差分电流放大器

电路菜单项如图 1-4 所示，可以实现对元件的位置、属性的设置，子电路的生成，电路图大小的缩放，电路图属性的设置，分析方法的选择

综合工具将 HDL 程序转换为 EDA 工具可以识别的形式，对应 为具体的电路结构形式；在采用 PLD 进行设计时，综合工具 可以将设计映射到具体的 CPLD 或 FPGA 器件上，对应得到与 器件相关的技术实现方式；

6.1 二进制并行加法器 6.2 数值比较电路 6.3 译码器 6.4 多路选择器 6.5 计数器 6.6 寄存器 6.7 只读存储器 6.8 可编程逻辑阵列

2.1 放大器概述 2.2 放大器基本分析法 2.3 晶体管偏置电路 2.4 晶体放大器的三种基本组态 2.5 场效应管放大器 2.6 有源负载放大器 2.7 多级放大器 2.8 放大器的表示法

半导体的基础知识 本征半导体 杂质半导体 载流子运动方式及形成电流 PN结与二极管 PN结的基本原理 晶体二极管 二极管应用电路 特殊二极管 晶体三极管 晶体管的结构与符号 晶体管的工作状态及放大原理 晶体管特性曲线 晶体管的主要参数 场效应晶体管 结型场效应晶体管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET） 场效应管的工作状态、参数及特点