例1设在金属与n型半导体之间加一电压,且-Si接高电位,金属接低电位,使半导体表面层内出现耗尽状态。 (1)求耗尽层内电势V(x) (2)若表面势V=0.4V;外加电压5V,施主浓度D=101cm-3,求耗尽层厚度。设

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利用晶闸管电路把直流电变成交流电，这种对应于整流的逆向过程，称之 为逆变，把直流电变成交流电的装置，叫做逆变器。 变流器交流侧接到负载，把直流电逆变为某一频 率或可变频率的交流电供给负载，则称为