6.1 有机半导体中的电子状态与载流子 6.2 载流子的注入与传输机理 6.3 OTFT的结构、原理与特性 6.4 OTFT中的关键材料 6.5 有机半导体材料的成膜技术 6.6 OTFT中的掺杂 6.7 OTFT中的图形化技术

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

数控车床基本坐标关系及几种对刀方法比较 在数控车床的操作与编程过程中,弄清楚基本坐标关系和对刀原理是两个非常重要的环节。这对我们更好 地理解机床的加工原理,以及在处理加工过程中修改尺寸偏差有很大的帮助

4.1 BJT 4.1 BJT 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 4.1.3 BJT的特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.2 基本共射极放大电路 4.3 放大电路的分析方法 4.3.1 图解分析法 4.3.2 小信号模型分析法 • 静态工作情况分析 • 动态工作情况分析 • BJT的小信号建模 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 • 温度变化对ICBO的影响 • 温度变化对输入特性曲线的影响 • 温度变化对 的影响 • 稳定工作点原理 • 放大电路指标分析 • 固定偏流电路与射极偏置电路的比较 4.4.1 温度对工作点的影响 4.4.2 射极偏置电路 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.5.1 共集电极放大电路 • 电路分析 • 复合管 4.5.2 共基极放大电路 • 静态工作点 • 动态指标 • 三种组态的比较 4.7 放大电路的频率响应

一、循环码译码的原理 二、循环码的译码电路------梅吉特译码法（只纠一个错） 三、扩展汉明码的译码 四、缩短循环码的译码 五、捕错译码——原理 六、大数逻辑译码

本书是一本实用性数据库教材，它重点突出应用性与新技术，它将数据库基本原理、技术与应用三者结合于一体，系统性强、基本概念与原理讲述清楚、内容深入浅出、文字浅显易懂、并配有大量辅助性材料。本书由六部分组成，它们是基本原理部分（第一章——第二章），关系数据库系统的原理与技术（第三章——第七章），数据库的设计与管理（第八章——第十章），新型数据库（第十一章——第十三章），数据库应用（第十四章——十六章）最后是数据库实验指导书。本书可作为高等学校计算机应用类专业以及计算机应用相关专业的大学本科数据库课程教材，也可作为数据库应用开发人员的参考资料及相关培训教材

 理解BIST（Built-in Self-Test）的原理  掌握LFSR的原理  掌握BIST的结构

学习目的： 1. 了解TRIZ理论中的发明原理； 2. 基本掌握基于TRIZ理论的专利挖掘方法。 学习重点： TRIZ理论的发明原理的定义和应用