多维事务数据库DB的结构为 (ID,AA2,, Anitems),A是DB中的结构化 属性(例如顾客的年龄,职业收入等),而 items是同事务连接的项的集合(例如购物篮 中频繁项集)。每一个 t=(id,aa 2..2 items-t)由两部分信息组成: 维信息(a1,a2man)项集信息。 挖掘过程分为两部分:挖掘维度信息的模 式和从投影的子DB中找出频繁项集

多维事务数据库DB的结构为 (ID,A,AAn, items),A是DB中的结 构化属性(例如顾客的年龄,职业收入等), 而 items是同事务连接的项的集合(例如购 物篮中频繁项集)。每一个 t=(id,aa2man,items--t)由两部分信息 组成:维信息(a1,a2man)和项集信息。 挖掘过程分为两部分:挖掘维度信息的模 式和从投影的子DB中找出频繁项集

利用Forge模拟软件对718高温合金在径向锻造过程中温度场、等效塑性应变场、最高温度变化和散热情况进行了研究.在第一道次,坯料升温集中在表面至距离心部1/2半径处;第二道次后心部成为温度最高部位,且心部温度较之前趋于均匀,心部温度最终比初始温度升高约45℃;坯料最高温度在径向锻造过程中先升高而后略微降低;在所有散热形式中,热辐射是坯料散热的主要方式;对等效塑性应变的模拟发现,坯料在第二道次锻造后已被锻透.现场取样观察与模拟结果对比显示,模拟结果具有可信性

一、磁场 1 基本磁现象 2 稳恒磁场的性质 (1)磁场对引入磁场中的运动电荷或载流导体有 磁场力的作用。 (2)载流导体在磁场中移动时,磁场力将对载流导体作功,说明磁场具有能量。 (3)磁介质引入磁场中要产生磁化现象

采用近似无限大流体重力沉降原理分析了多期法FeV50合金浇铸过程渣金分离及浇铸渣层钒的分布规律，考察了熔渣黏度、沉降粒度、浇铸温度、渣层厚度以及保温制度对渣中钒含量的影响.结果表明，浇铸渣中钒的赋存形式除了未还原完全的钒氧化物之外，还存在部分未完全沉降的初级合金；合金沉降速度随合金粒度的增加而增大，随熔渣黏度的增加而减小.1850℃条件下，当渣层厚度为50 mm，熔渣组分质量分数为65.2% Al2O3、15.5% CaO、14.6% MgO、1.9% Fe2O3、0.9% SiO2时，粒径为100 μm的合金沉降时间及熔渣上浮时间分别为24.9和1.2 min.基于此，进行浇铸工艺优化试验，在渣层厚度35 mm，浇铸温度1900℃、熔渣主要成分质量分数Al2O3 60%~65%、CaO 15%~20%、MgO 9%~15%、浇铸锭模保温层厚度9 cm的条件下，浇铸渣中平均TV质量分数由1.39%降低至0.58%

采用数值模拟的手段,研究了楔横轧轧制铝合金时轧件内部空洞演化的一般规律和工艺参数对空洞演化的影响.结果表明:轧件内部单空洞演化的一般规律是球形-椭球形-轧件内部轴向贯通的孔腔;多空洞演化时,位于轧件中心的空洞的变化规律和单空洞时相似,但其余位置的空洞发生了闭合,它们对中心空洞有正作用方面的影响;在模具的各个阶段中,楔入段的后期和展宽段的前期是内部空洞演化的关键阶段;在楔横轧加工的工艺参数方面,展宽角是影响空洞演化的最敏感因素,其次是断面收缩率,再次是成形角.研究证明了小的成形角、展宽角和断面收缩率均有利于轧件内部空腔的扩展

应力腐蚀开裂（SCC）是一种应力与腐蚀的协同作用,它广泛存在于工业生产中。国外有人认为,保守地讲每年由于SCC所造成的材料结构破坏至少占15%以上。在与之有关的各种因素中,电化学起十分重要的作用,它是研究SCC过程的有力工具。本文就SCC研究中的电化学方面做一简单的归纳

为研究连续退火工艺生产中锰TRIP钢汽车板的可行性，在钢板连续退火模拟机CCT-AY-域上研究了590~710℃不同退火温度下保温3 min对低碳中锰钢组织性能的影响.利用扫描电镜、透射电镜、电子背散射衍射和X射线能谱分析等微观分析方法对实验钢进行了组织结构和成分表征，利用X射线衍射法测量了残余奥氏体量，通过拉伸试验机测试了钢的单轴拉伸性能.结果表明：保温3 min时，随着保温温度的升高，残奥含量先增加后减少.在650℃退火时断后伸长率（21.3%）和强塑积（28 GPa·%）获得最大值，抗拉强度达到1330 MPa.马氏体基体通过回复，而残余奥氏体通过孪晶，获得超细晶组织.亚稳奥氏体的TRIP效应和超细晶铁素体（马氏体）共同提供了实验钢高的塑性.实验钢真实应力-应变曲线上呈现锯齿状现象，且稳定阶段加工硬化指数远高于传统TRIP钢

一、什么是创造性思维 思维:在表象(感知过的客观事物在人脑中重现的 形象)和慨念基础上进行分析,综合,推理的认识 过程。 创造性思维:根据一定的目的和任务,在大脑中创 造出新形象的过程。创造新技术.设计新产品,建 立新理论,先构成时该物的新形象

第11章块、参照和设计中心 11.1块 11.2外部参照 11.3设计中心