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1.1 量子概念的提出 1.1.1 光的波动性与黑体辐射 1.1.2 量子概念的提出 1.2 辐射的粒子性 1.2.1 光电效应 1.2.2 康普顿(Compton)效应 1.2.3 辐射的波粒二象性 1.3 关于原子结构的早期理论 1.3.1 电子的确定 1.3.2 汤姆森(Thomson)的原子模型 1.3.3 原子核的发现 1.3.4 卢瑟福(Rutherford)的原子模型 1.3.5 原子结构的玻尔(Bohr)理论 1.4 物质的波动性 1.4.1 德布洛意(de Broglie)假设 1.4.2 微观粒子的波动性 1.5 微观粒子状态的描述 l.5.1 微观粒子的状态 1.5.2 波函数的统计解释 1.5.3 波函数的标准化条件 1.5.4 态迭加原理 1.6 不确定(测不准)原理 1.6.1 平面波迭加成波包 1.6.2 坐标和动量的不确定关系 1.6.3 能量和时间的不确定关系 1.7 薛定谔(Schrödinger)方程 1.7.1 Schrödinger 方程的得来线索 1.7.2 定态 Schrödinger 方程 1.8 在势箱中运动的粒子 1.8.1 Schrödinger 方程的求解 1.8.2 解的讨论 1.9 算符和力学量 1.9.1 算符的一般概念 1.9.2 线性算符和厄密(Hermite)算符 1.9.3 本征值方程 1.9.4 算符和力学量的关系 1.9.5 Hermite 算符的两个性质 1.9.6 力学量的平均值 1.9.7 对易算符及其力学量 1.10 氢原子 Schrödinger 方程的解 1.10.1 原子的玻恩一奥本海默(Born-Oppenheimer)近似 1.10.2 分离变量 1.10.3 ߔ(߮)方程的解 1.10.4 ߆)θ)方程的解 1.10.5 R(r)方程的解 1.11 关于氢原子解的讨论 1.11.1 波函数߰௡௟௠是ܪ,෡ܯ෡ଶ和ܯ෡௭的共同本征函数 1.11.2 塞曼(Zeeman)效应 1.11.3 氢原子的维里(virial)定理 1.12 氢原子的电子分布图 1.12.1 径向分布图 1.12.2 角度分布图 1.12.3 空间分布图 1.13 电子自旋和角动量耦合 1.13.1 电子自旋 1.13.2 角动量耦合 习题
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3.1 氢分子离子 3.1.1 分子轨道表示为原子轨道的线性组合 3.1.2 Hଶ ା的线性变分处理 3.1.3 积分 α,β 和 S 的计算 3.1.4 Hଶ ା的共价键 3.2 分子轨道理论 3.2.1 Born-Oppenheimer 近似和非相对论近似 3.2.2 单电子近似(轨道近似) 3.2.3 LCAO 近似 3.2.4 电子的填充规则 3.3 形成共价键的条件 3.3.1 能量相近原则 3.3.2 最大重迭原则 3.3.3 对称性匹配原则 3.4 同核双原子分子 3.4.1 双原子分子的分子轨道的类型和符号 3.4.2 从 H 到 F 的原子轨道能量和基电子组态 3.4.3 第一周期的同核双原子分子和离子. 3.4.4 第二周期的同核双原子分子 3.5 异核双原子分子 3.5.1 异核分子轨道的形成和键矩 3.5.2 异核双原子分子的成键情况举例 3.6 双原子分子的光谱项 3.6.1 双原子分子的分子轨道分类 3.6.2 双原子分子的光谱项 3.6.3 常见电子组态的光谱项 3.6.4 分子状态的对称性 3.6.5 双原子分子的光谱项举例 3.7 价键理论及其对 H2 分子的处理 3.7.1 海特勒-伦敦(Heitler-London)对 H2 的处理 3.7.2 价键理论的要点
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5.1 从头计算法(ab initio) 5.1.1 哈特利-福克-罗汤(Hartree-Fock-Roothaan)方程 方程) 5.1.2 从头计算法 5.1.3 基函数的选择 5.2 分子轨道的近似计算方法 5.2.1 CNDO 法 5.2.2 EHMO 法 5.3 Huckel 分子轨道法 5.3.1 Huckel 近似 5.3.2 丁二烯 HMO 久期方程的解 5.3.3 离域能 5.4 HMO 方法的应用 5.4.1 链共轭多烯和单环平面共轭多烯 5.4.2 无机共轭分子 5.4.3 离域 π 键形成的条件 5.4.4 电荷密度 5.4.5 键级 5.4.6 自由价 5.4.7 分子图 5.5 杂化轨道理论 5.5.1 杂化轨道 5.5.2 杂化轨道中的系数 5.5.3 sp,sp 2和 sp 3 等性杂化轨道 5.5.4 不等性杂化轨道 5.5.5 d-s-p 杂化 5.6 离域分子轨道和定域分子轨道 5.6.1 两种分子轨道的特点 5.6.2 两种分子轨道间的变换 5.7 缺电子分子和多中心键 5.7.1 硼烷的电子结构 5.7.2 其它缺电子分子 5.8 分子的几何构型 5.8.1 三原子分子的几何构型—沃尔斯(Walsh)规则 5.8.2 多原子分子的几何构型——价电子对互斥理论 习题
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对N80钢在不同CO2压力下进行高温、高压腐蚀实验,根据失重法计算N80钢的腐蚀速率,利用扫描电镜观察腐蚀产物膜的微观形态,分析腐蚀产物膜的厚度和Ca元素含量,利用电化学阻抗谱和极化曲线法测试了腐蚀产物膜的电化学性能,并对腐蚀产物膜与基体间的剪切强度进行了测试.结果表明,随CO2压力增加,N80钢腐蚀速率增大;腐蚀产物膜晶粒尺寸基本不变,膜中微观缺陷数量逐渐增多;腐蚀产物膜电阻和反应电阻呈逐渐增加的趋势;腐蚀产物膜与N80钢基体结合的剪切强度下降,促进了N80钢的腐蚀
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1.了解《企业会计准则第2号——长期股权投资》及其应用指南,熟悉长期股权投资确认和计量的原则和方法。 2.掌握成本法下长期股权投资的取得、取得现金股利或利润、处置和期末计量的会计处理。 3.掌握权益法下长期股权投资的取得、被投资单位实现净损益、取得现金股利或利润、被投资单位除净损益以外所有者权益的其他变动、处置和期末计量的会计处理。 第一节 长期股权投资概述 第二节 长期股权投资的初始计量 第三节 长期股权投资的后续计量 第四节 长期股权投资的核算方法转换及处置
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§ 2.1 热力学概论 §2.2 热平衡和热力学第零定律──温度的概念 §2.8 热力学第一定律对理想气体的应用 §2.3 热力学的一些基本概念 §2.4 热力学第一定律 §2.5 准静态过程与可逆过程 §2.6 焓 §2.7 热容 §2.9 Carnot循环 §2.10 Joule– Thomson效应 §2.11 热化学 §2.12 Hess定律 §2.13 几种热效应 §2.14 反应焓变与温度的关系-Kirchhoff定律 §2.15 绝热反应──非等温反应 *§2.16 热力学第一定律的微观诠释 *§2.17 由热力学第零定律导出温度的概念 *§2.18 关于以J(焦耳)作为能量单位的说明
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第一节 农业生产和作物栽培 一、作物生产概况 二、作物栽培科学的演进和发展 三、作物栽培学的性质、任务和研究方法 第二节 作物的起源、分类和分布 一、作物的起源、变异和传播 二、作物的分类及各类作物简述 三、作物的分布 第三节 作物的生长发育与环境条件 一、作物生长发育中的有关概念及相互关系 二、作物生长发育过程 三、作物的生长发育与环境条件的相互关系 四、作物生长发育的栽培技术措施 第四节 作物的产量、生产潜力 一、作物的产量及产量形成 二、产量形成和产量成分的补偿 三、产量形成的生理机理 四、作物的生产潜力
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由Na2O·nSiO2和Mg(NO3)2经沉淀法合成了三硅酸镁,用450℃煅烧或酸化方法对合成的样品进行改性.采用XRD、IR、TG/DTA和BET等表征手段,考察了原料加入顺序、酸化和煅烧过程对样品的结晶度和表面织构的影响规律,并对其影响机理进行了探讨.结果表明,不同滴定顺序和不同活化方法制得的样品均为非晶态物质.TG/DTA分析显示不同滴定顺序样品的组成相同.pH对样品的表面织构有明显的影响.BET分析表明,Mg(NO3)2滴加入泡花碱溶液合成的样品为微孔材料,以1~3nm和0.7~0.9nm的微孔为主,比表面积达568.93m2·g-1,水合硅酸镁含量较高.泡花碱滴加入Mg(NO3)2合成的样品为大孔材料,比表面积为179.40m2·g-1,水合硅酸镁含量降低.煅烧和酸处理增加样品的结晶度,减少样品比表面积,并改变样品的孔径分布.煅烧使中孔含量增加,形成中孔材料.酸处理使Mg2+被H+取代,表面形成硅羟基基团,材料以中孔为主
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以活性炭为还原剂及以氩气为保护气,采用微波碳热还原的方法,将弱磁性的Fe2O3还原成强磁性的Fe3O4,并研究焙烧温度、保温时间以及SiO2粉末的加入对其还原焙烧成分及磁化效果的影响规律.结果表明:在配碳量一定的条件下,焙烧温度是微波碳热还原的关键因素,随着温度的升高,还原产物中Fe3O4的含量发生有规律的变化;650℃、保温5 min的条件下经微波还原后生成了纯Fe3O4粉末,其磁化率和还原度分别达到理论值2.33和11.11%;含SiO2的Fe2O3粉末在750℃以上进行微波还原,会生成大量的硅酸亚铁和氧化亚铁,导致Fe3O4含量降低,恶化还原焙烧指标,所以微波磁化焙烧的最佳温度应在570~650℃
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通过热膨胀仪和Gleeble3500热模拟试验机检测X70钢的膨胀系数、高温屈服强度和弹性模量,采用Marc有限元软件计算了热轧带钢在层流冷却中卷取温度分别为500、550和600℃时的温度场、相变体积分数、残余应力随时间的变化.结果表明:层流冷却过程中,在水冷前期带钢边部的应力超过了该温度下钢板的屈服强度,带钢板形会向着边浪发展;水冷结束时,边部应力值再次超过屈服强度并发生了塑性变形,带钢板形会向着中浪发展.在保证X70管线钢性能的条件下,降低卷取温度有利于钢板贝氏体相变的完成和层流冷却阶段残余应力的降低
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