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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）课堂讨论1

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2.3.1 CMOS IC中的寄生效应 2.3.2 SOI工艺 2.3.3 CMOS版图设计规则

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 2.1.2 MOS结构和分类  2.2.1 N阱CMOS工艺  2.2.2 深亚微米CMOS工艺

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第一节化学法制浆的分类与基本概念第二节蒸煮原理第三节蒸煮方法与蒸煮技术第四节蒸煮设备第五节化学浆的质量标准、性质与用途

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源（考试试卷）模拟集成电路原理与设计

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源（考试试卷）数字集成电路原理与设计

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源（教学大纲）模拟集成电路原理与设计

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源（教学大纲）数字集成电路原理与设计

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§10-1 晶体三极管的组态 §10-2 共发射极组态  共发射极组态的参量  共发射极电路的扩展北京大学：《电路分析原理 Circuit Analysis》课程电子课件_第十章晶体三极管放大电路基本组态 §10-1 晶体三极管的组态 §10-2 共发射极组态（1/2）

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二极管应用电路；BJT和FET工作原理；小信号模型