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通过运用点线面体不同元素的分合聚敌的构成进行立体和半立体的造型设计,在原有对平面形式规律认识的基础之上,增加对材料,质感,立体空间和透视角度的认识,并且通过光影表现,丰富艺术表现的语言和魅力

实验一安装 Windows2000 Server 一、实验目的 使学生能够使用常用方法安装 Windows2000 二、实验内容 进行 Windows2000的安装。 三、实验环境 (1)Cpu: Inter Pentium133MHz或以上。 (2)RAM:128MB或以上。 (3)硬盘:2GB或以上,至少1GB以上的空闲空间。 (4)8X或以上的光驱。 (5)网卡、计算机

海洋环境 地球表面积5100000m2,其中70.84%被海洋所覆盖; 海洋面积中84%的水深超过2000m,平均深度3800m; 真光层(阳光所能到达的深度)即便是在最清洁的水中,其深度也不会超过200m

1.物质的状态 三种主要的聚集状态 气体(g)、液体(1)和固体(s) 气体和液体流体(f) 液体和固体凝聚相(cd) 液晶——由棒状或扁盘状分子构成的物质可能处于的一种特殊的状态。有流动性,但分子有明显的取向,具有能产生光的双折射等晶体的特性

一、臭氧的基本知识 1、什么是臭氧? 臭氧又称富氧、三子氧、超氧。雷电过後,有时人们可以闻到它的 气味。臭氧在常温下可以自行还原为氧气。臭氧是氧的同素异形体,分 子式为O3,是一种较为不稳定的、活泼的气体。大气中少量的臭氧可 在某些自然和人为的条件下产生,包括:闪电,日光对烟雾成分的作用, 有故障的电灯开关和电机刷,高压输电线路,复印机,核辐射,紫外灯 以及水电解等等

材料科学基础学习纲要 第一章晶体材料的结构 名词概念 晶体与非晶体晶格与晶胞晶向指数与晶面指数体心立方面心立方密排六方 内容要求 1.晶胞中晶向指数与晶面指数表示方法,立方晶系和六方晶系中指数与图形对应关系。 2.金属中常见三种典型晶型的原子位置、单胞中原子数、致密度、配位数、密排面与密排方向

实验二结晶过程与显微组织摄影 目的 1.加深对结晶过程的理解; 2.了解光学金相显微组织的摄影方法

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概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)