(1)、输入端悬空,Vcc经R1、T1的C结向T2、T3提供基流 T2、T3饱和导通,而T4、D截止,Vo=Vcs3=VL (2)、输入端接>2V电源,设对应的T1e结导通,则V>2.7V ∴-T2、T3饱和导通-Vo=VoL (3)、输入端接同类与非门输出高电平+3.6V——+Vcc经R T1的C结向T2、T3提供基流--T2、T3饱和导通 (4)、输入端接10K电阻到地,若设对应的e结导通,则 输入端相当于接+3V高电平

2.1概述 2.2自由空间的电波传播 2.3 3种基本电波传播机制 2.4阴影衰落的基本特性 2.5移动无线信道及特性参数 2.6电波传播损耗预测模型

电势零点的选取:有限带电体以无穷远为电势零点,实际问题中常选择地球电势为零

第四章光源和光电检测器 4.1半导体的能带理论 4.2PN结的能带结构 4.3同质结和异质结 4.4发光二极管的工作原理 4.5半导体激光器的工作原理 4.6LD的工作特性 4.7光电检测器的工作原理和主要要求 4.8PIN和APD的工作原理 4.9光电检测器的工作特性

第6章直流电源 6.1直流稳压电源 6.2晶闸管和可控整流电路 要求: 1、掌握单相整流、滤波、稳压电路的工作原理及参数的计算。 2、了解集成稳压电路的性能及应用

一、电荷的量子化 1种类:正电荷,负电荷 2性质:同种相斥,异种相吸 3单位:库仑(C) 4电荷的量子化:

1.1.将布洛赫函数中的调制因子k(r)展成付里叶级数,对于近自由电子,当电子波矢远 离和在布里渊区边界上两种情况下,此级数有何特点?在紧束缚模型下,此级数又有什么特 点? 解答 由布洛赫定理可知,晶体中电子的波函数 :(r)=e uk() 对比本教科书(5.1)和(5.39)式可得 (r)= m -a()\ 对于近自由电子,当电子波矢远离布里渊区边界时它的行为与自由电子近似,“()近似 一常数.因此,k(r)的展开式中,除了a(0)外,其它项可忽略 当电子波矢落在与倒格矢Kn正交的布里渊区边界时,与布里渊区边界平行的晶面族对 布洛赫波产生了强烈的反射,“k(r)展开式中

第一章 矩阵运算的计算机方法及稀疏距阵 第二章 电路的矩阵分析 第三章 建立方程的一般方法 第四章 非线性电路直流分析 第五章 双端口网络分析 第六章 运算放大器电路及有源滤波器

引言 一、 欧姆定律 二、 焦耳定律 三、 电阻的计算 四、 电容 五、 电感 六、 基尔霍夫定律和麦克斯韦方程

一、导体 二、电介质 三、磁介质 四、媒质中的麦克斯韦方程组 五、电磁场的边界条件