8-1 采样过程与采样定理 8-2 信号的恢复与零阶保持器 8-3 z变换与z反变换 8-4 脉冲传递函数 8-5 采样系统的性能分析 8-6 采样系统的数字校正

(In, Co)共掺的ZnO薄膜（ICZO薄膜）在100 ℃下通过射频（RF）溅射沉积至玻璃基板上。沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射。通过调节靶功率，获得了不同In含量的ICZO薄膜。研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化。分别使用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）、原子力显微镜（AFM）、电子探针扫描（EPMA）、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试（Hall measurement）和振动样品磁强计（VSM）对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析。详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响。实验结果表明，随着薄膜中In含量的提高，薄膜中载流子浓度显著提高，薄膜的导电性得到优化。所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性。与此同时，束缚磁极化子（BMP）模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料，致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变，并呈现在三个不同的区域

代谢性脑病 定义 代谢性脑病是指体内生化代谢改变 造成脑组织内环境变化进而导致脑功能紊 乱的一组疾病的总称。代谢性脑病是一类 可治性的疾病。早期识别代谢性脑病并给 予及时处理，对病人预后极其重要。 易于发生代谢性脑病者包括老年人、 MOF、接受对CNS有毒性作用药物治疗及 严重营养缺乏病人。其他危险因素尚有感 染、中毒、内分泌失调等

第一节 成本性态分析 第二节 变动成本计算

倍频器（Frequency Doubler）是一种输出信号 频率等于输入信号频率整数倍的变换电路。 晶体管倍频器有两种主要形式： 另一种是利用晶体管的结电容随电压变化的非线性 来获得倍频，这是半导体器件所特有的性质，可叫做 参量倍频器。在此只对丙类倍频器进行研究。 一种是利用丙类放大器电流脉冲中的谐波来获得 倍频，叫做丙类倍频器；

火疗法： 熨背、火劫发汗、火熏、灸法、烧针、温针 1．邪扰乱神明：烦躁、惊狂（心主火，主神明） 2．邪火扰乱气机：腹满或小便难、腰以下重而痹，奔豚 3．热郁胃肠：腹满便秘，谵语、但头汗出（燥金） 4．热入血分：衄、吐、便血或发黄（热甚动血） 5．热毒上炎：口干、咽燥咽烂（火性炎上） 6．热邪灼伤阴津：口干、小便难、身体枯燥（火灼津）火逆变证：

第一节 产品市场的均衡：IS曲线 一、投资的决定 二、IS曲线及其推导 三、IS曲线的变动 第二节 货币市场的均衡：LM曲线 一、利率的决定 二、LM曲线及其推导 三、LM曲线的移动 第三节 两个市场的同时均衡：IS-LM模型 一、两个市场同时均衡时国民收入的决定 二、均衡国民收入的变动 三、IS-LM模型的应用

§19-1 伽利略变换 经典力学的时空观 §19-3 爱因斯坦假设 洛仑兹变换 §19-5 洛仑兹速度变换法则 §19-4 狭义相对论的时空观 §19-6 相对论动力学基础 §19-2 麦克尔逊-莫雷实验

1. 概述 2. 函数定义的一般形式 3. 函数参数和函数的值 4. 函数的调用 5. 函数的嵌套调用 6. 函数的递归调用 7. 数组作为函数的参数 8. 局部变量和全局变量 9. 变量的存储类别 10.内部函数与外部函数 11.运行一个多文件的程序

1. C的数据类型 2. 常量和变量 3. 整型、实型、字符型数据 4. 变量赋初值 5. 各类数值型数据间的混合运算 6. 算术运算符和算术表达式 7. 赋值运算符和赋值表达式 8. 逗号运算符和逗号表达式