采用还原焙烧、磁选工艺流程和粉矿直接入炉焙烧技术,对难选低品位硼铁矿中硼的富集进行了研究.按化学当量比C/O=1(原子比)进行配碳,使用马弗炉进行焙烧实验,在500~1 450℃研究了不同焙烧温度下硼品位和硼回收率的变化.研究结果表明:随着焙烧温度的提高,铁晶颗粒增大,在1 200℃时硼精粉品位达到14.29%,满足硼化工工业对硼品位的要求(ω(B2O3) ≥ 12%);硼回收率在1 200℃以上时能达到90%以上.当焙烧温度在1 350℃以上时,硼的回收率和品位没有太大的变化.焙烧温度选择在1 200~1 350℃为宜,既能实现高的硼回收率,硼品位又能满足硼化工工业的要求

7.1 串行数据通信概述 7.2 80C51串行口及控制

系统研究了环保型无取向型电工钢板绝缘膜的电工性能.采用水、磷酸二氢铝、苯-丙乳液作为涂料的主要原材料,综合SEM、能谱、XRD、盐雾实验、硬度和附着性能的试验结果,得到制备电工钢绝缘涂料的最佳原料质量比为水:Al(H2PO4)3:苯-丙乳液=25:10:5.在该最佳配比条件下电工钢片的层间电阻基本保持在500(Ω·mm2)/片以上,附着性、耐蚀性能良好,表明磷酸盐环保涂料是一种优良的电工钢绝缘涂料

结合颜料的特性分析阐述了超细煤系煅烧高岭土粉体作为钛白代用品基体的原因.结果表明,超细煤系煅烧高岭土的高白度、高折光指数、较强遮盖力、低吸油量等物化性能是将其作为钛白代用品基体的原因;另外颗粒表面吸附能力的增强以及表面电位有利于其与表面改性药剂作用

以综合化工污泥、膨润土和造孔剂为原料,制成粒径为3~6mm水处理用的生料球,经烘干、预热、焙烧等工艺过程,进行了陶粒填料的合成研究.采用正交试验进行陶粒的制备,测定了所制备陶粒的堆积密度、表观密度、比表面积、筒压强度和磨损率等性能,分析了造孔剂掺量、污泥与膨润土配比、预热时间、预热温度及烧结温度等不同因素对陶粒主要性能的影响.根据作为水处理填料的材料应遵循的原则和对陶粒各性能分析的结果,确定了烧制污泥陶粒的最佳工艺参数:造孔剂掺量5%、污泥与膨润土比例4:6、预热时间30min、预热温度400℃、烧结温度1140℃.扫描电镜照片揭示了陶粒表面和内部孔隙特征及不同烧结温度下陶粒内部孔隙的变化特征

从实验角度分析了半钢轧辊表面经过激光相变硬化处理后的性能改善情况,着重讨论了改变工艺参数对激光淬火效果的影响.利用数值模拟的分析手段对轧辊在激光辐照之下经历的热循环过程作了详细描述,说明了辊面激光淬火的原理,对光斑附近区域的温度梯度分布作了分析,初步探讨了激光淬火裂纹形成的原因

对含Hf和Ta新型镍基高温合金FGH98Ⅰ等离子旋转电极(PREP)雾化原始和不同温度下预热处理粉末中的碳化物相进行了研究.结果表明:原始粉末中MC'型碳化物可分为两类,一类为富Ti、Ta和Nb,另一类为含Ta、Hf和Zr.两类碳化物均含有一定量非碳化物形成元素Co和Ni及中等强碳化物形成元素Cr和Mo,并以块状、粒状分布于枝晶或胞晶间;随着预热处理温度升高,粉末中富Ti、Ta和Nb的MC'型碳化物转变为MC型碳化物,且其所含Ti、Ta和Nb的总量增大;含Ta、Hf和Zr的MC'型碳化物发生分解和转变,析出稳定的M23C6、M6C和MC型碳化物,M23C6碳化物的析出和溶解温度为950℃和1150℃,M23C6和M6C碳化物共存温度为1000～1100℃.另外,粉末中微量元素Hf和Ta主要以碳化物和γ'相参与碳化物反应

第三节中断方式及接口 5.3.1中断基本概念 1.定义 CPU暂时中止现行程序的执行,转去执行为某个随机事态服务的中断处理程序。处理完毕后自动恢复原程序的执行

以一种特定成分的有机硅为原料,采用溶胶-凝胶法,在硅基片上制备出用于光波导器件的薄膜.通过折射率和厚度测试及XPS成分测试验证了此薄膜具有较好的均匀性、厚度和光学特性,满足光波导器件的要求.分析了溶胶-凝胶法中常见的龟裂现象的原因以及采预防方法.利用这种薄膜结合微电子加工工艺制备出光波导器件阵列波导光栅

提出了用神经网络插值代替拉氏插值计算裂纹形成时间(TTCI)值,用极大似然估计代替均秩估计法估计分布参数的方法.考虑到仅对一组TTCI值进行参数估计具有较大的随机性,文中对每种参考裂纹尺寸对应的TTCI值均进行极大似然估计,得出多组TTCI分布参数;然后利用不同参考裂纹尺寸对应的TTCI分布参数之间的关系确定结构细节的当量初始缺陷尺寸分布参数.对某零件的疲劳实验及其原始疲劳质量分析证明了该方法的可行性和合理性