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合肥工业大学:《数字电子技术基础》课程教学资源(PPT课件讲稿)第二章 门电路(阎石,第四版)
文档格式:PPT 文档大小:814.5KB 文档页数:33
§2-1 概述 §2-2 二极管、三极管、MOS 管开关等效电路 §2-3 最简单的与、或、非门电路 §2-5 CMOS门电路 §2-4 TTL门电路
黑龙江八一农垦大学:《植物病虫害防治学》课程教学资源(电子教案,昆虫部分)
文档格式:DOC 文档大小:168.5KB 文档页数:43
课目昆虫学基础知识 目的通过教学使学生了解和掌握什么是昆虫,昆虫的特征是什么及昆虫的习性 要求指导害虫生态防治 重点昆虫纲的特征、昆虫的外部形态、昆虫的习性
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2002年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:99.5KB 文档页数:5
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2003年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:96KB 文档页数:6
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2005年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:378KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:187.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素
湖南大学:《物理化学》课程电子教案(PPT课件讲稿)第七章 统计热力学基础
文档格式:PPT 文档大小:3.58MB 文档页数:153
§7.1 统计热力学基本概念 §7.2 统计的方法 §7.3 配分函数的定义及与热力学函数的关系 §7.4 配分函数的求法 §7.5 配分函数对热力学函数的贡献 §7.6 用配分函数计算标准反应吉布斯函数和平衡常数 §7.7 复习总结自测与提高
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:226.5KB 文档页数:8
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素
《C++程序开发教程》课程电子教案(PPT教学课件)第二章 C++基础知识
文档格式:PPT 文档大小:716KB 文档页数:73
计算机所处理的数据以一定形式存放在内存中,数据 的存储方式以及能够进行的合法运算都与数据类型直 接相关。C++的特点之一就是提供了丰富的数据类型 ,以便处理各种不同的数据。数据类型总是与运算封 装在一起,本质上是面向对象的。本章将简要介绍 C++中的数据类型及相关运算,以及常量、变量、表 达式、语句等,最后介绍简单的输入输出方法
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2004年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:266.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺
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