一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填 在题干的括号内。每小题 1 分，共 10 分) 1.在读电路图时，发现有的运放处于开环状态，那么此运放所在的本级电路可能是( )。 A.基本运算电路 B.信号放大电路 C.信号产生电路 D.电压比较器

一、名词解释（每小题 4 分 共 16 分） 1．旅游规划 狭义的规划是指制定或者实施某种计划的过程，广义的规划理解是指在旅游资源评价 基础上，针对旅游资源的属性、特点和旅游地的发展规划，根据社会、经济和文化发展趋势， 对旅游资源进行总体布局、项目技术方案设计和具体实施

一、填空题(每小题 1 分，共 10 分) 1. 随着温度升高，二极管的反向电流将 。 2. 差动放大电路提出的主要目的是为了解决普通放大电路的 问题

一、单项选择题（本大题共 15 小题，每小题 1 分，共 15 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要提高放大电路的负载能力，可引入( ) A.串联负反馈 B.电压负反馈 C.并联负反馈 D.电流负反馈

一、单项选择题（本大题共 15 小题，每小题 1 分，共 15 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．三极管β值是反映（ ）能力的参数。 A．电压控制电压 B．电流控制电流 C．电压控制电流 D．电流控制电压

一、单项选择题（本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.N 型半导体是在本征半导体中掺入（ ） A.3 价元素 B.4 价元素

一、单项选择题（本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括 号内。错选、多选或未选均无分。 1．理想情况下，差动放大器的差模输入电阻为（ ） A．1 B．0 C．∞ D．100

一、单项选择题(本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分) 在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。 错选、多选或未选均无分。 1.半导体中的少数载流子产生的原因是( ) A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发

一、填空题(每小题 1 分，共 10 分) 1.PN 结反向偏置时，PN 结的内电场被___________。 2.共射放大电路，将 IEQ 增大，rbe将___________。 3.集成功放 LM386，共有引脚___________个。 4.在构成电压比较器时集成运放工作在开环或___________状态

6-1.自动测试系统主要由哪些部分组成？各部分的作用是什么？ 6-2.在设计计算机测试系统时，选择模拟多路开关要考虑的主要因素是什么？