第一章 哲学思维和科学思维 第二章 心理-生理学的考虑 第三章 记忆、再现和联想 第四章 反射、本能、意志、自我 第五章 在自然的和文化的栖居处个体的发展 第六章 想像的充沛 第七章 知识和错误 第八章 概念 第九章 感觉、直觉、幻想 第十章 思想对事实的适应和思想的相互适应 第十一章 论思想实验 第十二章 有形实验及其主要特征 第十三章 作为探究的主导特征的相似和类似 第十四章 假设 第十五章 问题 第十六章 探究的预设 第十七章 探究的小径 第十八章 从心理学上看演绎和归纳 第十九章 数和测量 第二十章 与度规空间对照的生理空间 第二十一章 论心理学以及几何学的自然发展 第二十二章 从物理探究的观点看空间和几何学 第二十三章 与度规时间相对照的生理时间 第二十四章 从物理学上考虑的空间和时间 第二十五章 自然定律的涵义和价值

通过采用冶金反应的热力学分析、热平衡计算及热态实验,研究了CO2与O2混合喷吹炼钢工艺.对喷吹过程中金属熔体内的脱碳过程,铁液、炉渣及炉气成分及温度的变化进行了测试及分析.初步分析了CO2与O2混合喷吹炼钢工艺的可行性.根据热平衡计算可以得出,在炼钢过程中喷入一定浓度CO2气体后,同样可脱除钢中的碳,达到冶炼目的.实验证实,在真空电感应炉炼钢过程中,由于电能热量的补充,使得能满足炼钢过程的热量要求,喷入CO2与O2混合气体可以脱除钢中的碳

利用透射电镜研究了低碳微量铌钢过冷奥氏体形变过程中的碳氮化物析出,运用Gladman晶粒粗化机制讨论了析出相颗粒的平均直径、体积分数和铁素体晶粒尺寸的关系.实验结果表明:实验用钢中的微量Nb在1200℃时完全固溶,并在760℃变形前的冷却过程中无Nb(CN)析出.在形变过程中Nb(CN)的析出同样需要孕育期,但与等温过程相比大大提前.当变形量积累到一定值(本实验条件下ε=0.69)时,大量动态析出的Nb(CN)颗粒弥散分布在晶界以及位错线上.Nb(CN)析出随着应变量的增加而增加,但颗粒长大不明显,计算得到的铁素体晶粒平均截径与实际测得的铁素体晶粒吻合得较好

采用含有不同含量磷的电子轰击纯铁作样品,经脱碳脱氮后,用低频倒扭摆测量其300—800℃之间的内耗值。结果表明,磷含量在0.007—0.28wt%之间的五根样品,分别于580℃和470℃左右出现两个内耗峰,激活能分别为2.13ev和1.80ev。经高温保温一定时期淬火处理后,这两个峰全部消失。由此看出,580℃左右的峰可能是Fe—p的ss峰,而470℃的峰可能是纯铁的PM峰。本文还研究了一根含稀土元素铈的铁磷合金的内耗。发现在703℃、601℃和500℃相应出现三个内耗峰。初步认为,它们分别是Fe—Ce的ss峰、Fe—P的ss峰和纯铁的PM峰

以6005A铝合金商品实际产生的表面少缺陷、多缺陷试样，以及作为比较的完全去除商品表面膜的人工磨制的三种不同表面状态试样为研究对象，研究铝合金商品表面的实际损伤对其耐海水腐蚀性能的影响及其腐蚀电化学行为.通过场发射扫描电镜和激光共聚焦扫描显微镜对具有不同表面状态的6005A铝合金表面形貌和粗糙度进行了表征，表明铝合金商品实际产生的表面缺陷主要为划伤，体现在随着表面缺陷的增多，表面粗糙度Ra明显增大，表面粗糙度Ra大小可以定量描述表面损伤的严重程度. 6005A铝合金在NaCl质量分数3.5%的模拟海水溶液中发生全面腐蚀和点蚀，表面缺陷越多，粗糙度越大，耐蚀性越差；电化学测试结果表明，表面缺陷越多，粗糙度越大，腐蚀电位越低，腐蚀电流密度越大，耐蚀性越差. 6005A铝合金表面损伤对其耐海水腐蚀性能产生影响的原因为：表面损伤造成铝合金商品原表面膜被破坏，表面缺陷越多，粗糙度越大，表面膜的破坏和表面塑性变形越严重，铝元素会因为被活化而迅速溶解，有着更高的腐蚀速率，而缺陷较少表面有较为均匀致密的氧化膜，对基体有着较好的保护性

在实验室条件下,自制了MgS与TiS2两种硫化物,组成MgS—2%TiS2'wt)并经过高温烧结处理。用MgS—2%TiS2固体电解质组成硫浓差电池:Mo[[S]Fe][MgS-2%TiS2（wt）]Mo,MoS2]Mo于1375℃无保护气氛条件下进行了铁液定硫的试验。所测电势E与化学分析的[%S]关系为log[%S]=-0.3694-0.0077E（mV）（[%S]:0.013～0.134）。于1375℃下还测试了Cu-Cu2S系的硫位。推算出表征固体电解质电子电导率大小的特征硫分压Pc’对MgS—2%TiS2来讲为6×10-4pa。引入pe’和硫活度系数fs对E—[%S]关系进行了修正

数字集成电路是用来专门处理数字信号的，各种逻辑门、触发器、存储器等 电路都是数字集成电路。通常，数字信号是二进制信号。数字电路的工作特点是: 电路输出的二进制信号与输入二进制信号有一定的逻辑关系，这个逻辑关系就称 为电路的逻辑函数。 在正常的电压工作范围内，数字信号电压的幅度是被量化了的：某一电压范 围代表二进制状态中的一个状态，另一电压范围则代表了另一个状态。这两个范 围之间是不确定范围，不确定范围应尽可能小，这就使电路完全工作在非线性状 态，如图 3-1 所示

7.1人工智能概述 人工智能( Artificial Intelligence)简称AL,它是计算机科学的一个重要的研究领 域。近40年以来获得了迅速的发展,在很多领域都获得了广泛的应用。 7.1.1什么是人工智能 斯坦福大学人工智能研究中心的 Nilsson教授认为:“人工智能是关于知识的 科学-怎样表示知识以及怎样获得知识并使用知识的科学。”MT的 Winston教授 指出:“人工智能就是研究如何使计算机去做过去只有人才能做的智能的工作 这些定义反映了人工智能学科的基本思想和基本范围。事实上,一般认为用计算机 模拟人的智能行为就属于人工智能的范畴

函数是C++程序的基本模块。可将一些功能相对独立的或 经常使用的操作或运算抽象出来,定义为函数。使用时只要 考虑其功能和使用接即可。 在结构化程序设计中,函数是将任务进行模块划分的基 本单位。 在面向对象的程序设计中,类中所封装的操作是用函数 进行描述的,因此函数在C++程序中具有非常重要的意义。 要掌握函数的使用,必须理解函数调用时的内部实现机 制,以及与此相关的内存分配机制、变量生命期和作用域。 本章还将介绍关于函数重载的概念,介绍递归算法、内 联函数、默认参数函数以及多文件组织、编译预处理、工程 文件的概念和运行库函数

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质