2.1 真空热蒸发镀膜技术 2.1.1 真空热蒸发镀膜的原理 2.1.2 真空热蒸发镀膜的方式及特点 2.2 溅射镀膜技术 2.2.1 气体放电原理 2.2.2 溅射现象 2.2.3 溅射镀膜技术分类及特点 2.3 化学气相沉积技术 2.3.1 CVD原理 2.3.2 CVD技术种类及特点 2.4 光刻技术 2.4.1 光刻原理 2.4.2 光刻工艺概述 2.4.2 光刻胶 2.4.3 对位和曝光 2.4.4 显影 2.5 刻蚀 Eching 2.5.1 刻蚀工艺的品质因数 2.5.2 湿法刻蚀 2.5.3 干法刻蚀

(1)在棒的延长线,且离棒中心为r处的电场强度为 (2)在棒的垂直平分线上,离棒为r的电场强度为

第2章MCS-51单片机的硬件结构 2.1MCS-51单片机的物理结构及逻辑结构 2.2MCS-51单片机的片外总线结构 2.3MCS-51单片机的存储器配置 2.4CP的时序及辅助电路

一、实验目的 1、了解感应加热的原理; 2、了解电流透入深度与材料电阻率及电流频率之间的关系; 3、了解淬硬层深度的测定方法; 4、掌握高频感应加热淬火的方法

❖烯烃的构造异构,命名,烯基 ❖烯烃的结构 ❖顺反异构、E-Z标记法—次序规则 ❖烯烃的来源和制法 ❖烯烃的物理性质 ❖ 烯烃的化学性质、亲电加成反应历程 5.1 烯烃的结构 5.1.1 sp2杂化碳原子和碳碳双键 5.1.2 π−键的特性 5.1.3 烯烃的同分异构现象 5.2 烯烃的分类和命名 5.2.1 烯烃的分类 5.2.2 烯烃的命名（系统命名法） 5.3 烯烃的来源和制法 5.4 烯烃的物理性质 5.5 烯烃的化学性质 5.5.1 催化加氢 5.5.2 亲电加成反应 5.5.3 烯烃的自由基型反应 5.5.4 氧化反应 5.5.5 聚合反应

1、钢尺量距的方法与计算 2、光电测距的原理与成果计算(难点:光电测距的原理) 3、直线定向概念及直线定向的方法(重点) 4、坐标方位角的推算(重点、难点)

5.1 氧化还原反应的方向和程度 5.1.1 条件电位 5.1.2 决定条件电位的因素 5.1.3 氧化还原反应进行的程度 5.2 氧化还原反应的速率 5.2.1 浓度的影响 5.2.3 催化剂与反应速率 5.2.4 诱导反应

采用添加了Al2O3和Y2O3助烧剂的碳化硅微粉为原料,通过放电等离子烧结(SPS)技术快速制备了碳化硅陶瓷.分析了材料致密化过程,并重点研究了烧结工艺参数对材料致密度和力学性能的影响规律.结果表明,当SPS工艺参数的烧结温度和压力分别为1600℃和50MPa时,经过5min的烧结,碳化硅陶瓷的致密度可达到99.1%,硬度为HV2550,断裂韧性达8.34MPa·m1/2,弯曲强度达684MPa

利用FEMLAB软件模拟出在2D和3D的情况下微电磁石的电磁感应对磁场强度的影响.因为在3D界面下不能完全将实际模型重建,采用缩小实体的方法,将缩小后的模型在2D环境下模拟,可以显示出与大空间范围构造相似的仿真结果.3D仿真结果显示的大体结构及空间范围的情况与2D仿真结果大致相同,且3D仿真结果的误差在正常情况下至少为10%,因此3D与2D仿真环境下的磁体结构是可以比较的

2,1概述 2,2小信号谐振放大器 2.3集中选频放大器 2.4放大器的噪声 2.5实训:髙频小信号谐振放大器的仿真与性能分析