《微机原理》文库下载_中国高校课件下载中心

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）课堂讨论1

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2.3.1 CMOS IC中的寄生效应 2.3.2 SOI工艺 2.3.3 CMOS版图设计规则

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 2.1.2 MOS结构和分类  2.2.1 N阱CMOS工艺  2.2.2 深亚微米CMOS工艺

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2-190TDR的测试原理是:由于光纤中散射光的强弱反映了光纤长度上各点衰减大小,菲涅尔反射光能反映断点位置,因此可通过检测反向传输到输入端的背向散射光和菲涅尔反射光功率变化来确定光纤损耗系数,并判断光纤断点位置和光纤长度

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源（考试试卷）模拟集成电路原理与设计

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源（考试试卷）数字集成电路原理与设计

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源（教学大纲）模拟集成电路原理与设计

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北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源（教学大纲）数字集成电路原理与设计

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§10-1 晶体三极管的组态 §10-2 共发射极组态  共发射极组态的参量  共发射极电路的扩展北京大学：《电路分析原理 Circuit Analysis》课程电子课件_第十章晶体三极管放大电路基本组态 §10-1 晶体三极管的组态 §10-2 共发射极组态（1/2）

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二极管应用电路；BJT和FET工作原理；小信号模型