利用亚锡酸对氯铂酸的弱的多步骤还原制备新型Pt/C催化剂.用XRD、HRTEM、EDS、DSC以及氢吸附电化学对所制备的催化剂进行了表征,并用循环伏安和恒电位极化对其进行了甲醇电氧化催化活性测定.实验结果表明,应用亚锡酸法合成的Pt/C催化剂具有很高的甲醇电氧化催化活性,在0.5V(SCE)电位下,其质量活性约为亚硫酸路线合成的Pt/C催化剂的2倍.亚锡酸法可在纳米尺度范围内生成金属Pt和Pt氧化物共存的复合型碳载催化剂,这种含氧复合型催化剂可以促进Pt在甲醇电氧化过程中双功能作用的有效协调

从理论上导出了CaO-Fe2O3混合层内反应初期铁酸钙生成的动力学模型:1-k1(1-k2BRv)2/3-k2(1+k1BRv)2/3=(2k1Mf/ρfrf2)·DcΔCt。其中k1=(ρf-ρcf)/(ρf-ρc),k2=(ρcf-ρc)/(ρf-ρc),B=1+Mcρfm/Mfρc。经1160℃和1190℃下的基础实验表明,模型与实验数据吻合很好,同时得到该两温度水平下氧化钙在铁酸一钙有效扩散系数分别为4.34×10-9cm/s和2.32×10-8cm/s

对萤石矿物进行掺杂灼烧.制备了一种新型矿物发光材料萤石:Eu3+.根据Eu3+的荧光光谱与局域对称性的关系,结合空间群中等效点系的对称性分析,可以推断该体系中主要存在2类发光中心,其格位对称性分别为C4V,和C3V.Eu3+离子进入CaF2晶格,与Ca2+离子不等价置换,由于电荷补偿,Eu3+周围常常存在间隙Fi-的缺陷机制,间隙的存在,降低了局域对称性(由Oh降低为C4V。或C3V),打破了宇称选择定则,促进了Eu3+离子的发光

5.1 80C51的中断系统 5.2 80C51单片机中断处理过程

8.1 I2C串行总线的组成及工作原理 8.2 80C51单片机I2C串行总线器件的接口

4.1 C语句概述 一、C程序结构

合成了具有层状钙钛矿结构的两种热致相变材料四氯合锌酸癸铵n-(C10H21NH3)2ZnCl4和四氯合锌酸十二铵n-(C12H25NH3)2ZnC14,并在两种材料的乙醇溶液中结晶出一系列二元混合体系.对纯组分及各个二元体系利用差示扫描量热(DSC)测定了热分析曲线,采用Kissinger和Ozawa两种动力学模型研究了非等温固-固相变动力学,计算了固-固相变过程的活化能和反应级数.两种方法的计算结果相一致

第九章编译预处理 9.1选择题 【题9.1】以下叙述中不正确的是 A)预处理命令行都必须以#号开始 B)在程序中凡是以#号开始的语句行都是预处理命令行 C)C程序在执行过程中对预处理命令行进行处理 D)以下是正确的宏定义 #define IBM_PC 【题9.2】以下叙述中正确的是 A)在程序的一行上可以出现多个有效的预处理命令行 B)使用带参的宏时,参数的类型应与宏定义时的一致 C)宏替换不占用运行时间,只占编译时间 D)在以下定义中CR是称为“宏名”的标识符 #define CR045

使用透射电镜观察了GH36合金中M23C6、VC碳化物和基体之间的界面结构,在M23C6/γ的半共格界面上分布有错配位错列,间距约10nm。根据${\\rm{\\vec g}}$·${\\rm{\\vec b}}$=0判据,可以确定该位错的Burgers vector ${\\rm{\\vec b}}$=a/2(110)γ,VC/γ的相界面是具有很大点陈错配度(δ=+0.155)的共格界面。最后,从M23C6、VC和基体之间的不同界面结构与性质讨论了以碳化物沉淀为主要强化手段的Fe基GH36合金的强韧化本质以及如何识别波纹图(Moire pattern)和界面位错的问题

研究往Fe-C-O系熔体吹氮时吸氮反应动力学,测定了氮分压、氧和碳含量以及温度对吸氮反应速度的影响。通过实验数据处理,得出Fe-C-O系熔体吸氮反应在氧含量较低时是一级反应,较高时是二级反应,氧含量很高时吸氮速度达最低值。碳能显著地降低Fe-C-O系熔体吸氮反应的传质系数。一级反应和二级反应活化能各为131.67kJ/mol,122.89kJ/mol