VDRMI VARM =10ms 1/2 sine. Vosu V asM =VDRM+ 100V respectively. Lower voltage grades available. ORDERING INFORMATION When ordering select the required part number shown in the Voltage Ratings selection table r ex For example:

5 . 1 电磁感应现象与电磁感应定律 5 . 2 电磁感应现象的物理实质 5 . 3 互感与自感 5 . 4 LR电路中的暂态过程 5 . 5 位移电流及其物理实质 5 . 6 真空中的麦克斯韦方程组 5 . 7 电磁场的能量

DoC. No. 5SYA1036-03 Sep Two thyristors integrated into one wafer Patented free-floating silicon technology Designed for traction, energy and industrial applications Optimum power handling capability Interdigitated amplifying gate The electrical and thermal data are valid for one thyristor half of the device

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一、换路定则: 换路前瞬间记为t=0 换路时刻t=0 换路后瞬间t=0