1.半导体电导率 在一般电场情况下,半导体的导电服从欧姆定律:j=E--为电导率 半导体中可以同时有两种载流子,将电流密度写成:j=nq+pqv ,分别为空穴和电子在外场下获得的平均漂移速度 —平均漂移速度和外场的关系:

描述了超声波脉冲回波测距系统的基本组成,重点研究了超声波测距系统中的低噪声问题,设计了分时和分区的开关隔离式超声波发射和接收电路,彻底切断了发射电路和其他电干扰信号对接收电路的影响.低噪声\能量球\的设计,极大地提高了回波的信噪比,实现了超声波低功率发射条件下的信号稳定接收.同时介绍了软件滤波器在超声波的智能化低噪声处理方面的应用

利用有限元软件ANSYS对软接触电磁连铸结晶器内磁场进行三维数值模拟,分析了结晶器内钢液面高度对磁场及电磁力分布的影响.结果表明:钢液使得磁感应强度集中在钢液的侧表面;当钢液面低于线圈上沿时,钢液中磁感应强度的最大值出现在钢液上表面附近,并沿拉坯方向逐渐递减;当钢液面高于线圈上沿时,随着钢液面的升高磁感应强度的最大值向线圈中部移动;钢液侧表面所受电磁力的分布趋势与磁感应强度的分布趋势基本一致

针对电气设计的要求,本文描述了一个计算机辅助电气设计系统DCAD的设计与实现。DCAD不仅为电气设计者提供了一个方便、集成的交互设计环境,更主要的是实现了由原理图到施工接线图的自动转换。在开关、机床行业的实际使用表明,DCAD确实是一具实用化、通用化的软件产品

13-1拉普拉斯变换的定义 13-2拉普拉斯变换的基本性质 13-3拉普拉斯反变换 13-4运算电路 13-5应用拉普拉斯变换法分析线形电路

应用X射线衍射,选区电子衍射和同步X射线衍射等方法,对锂离子电池正极材料Li[Ni1/3Li1/9Mn5/9]O2的结构和充放电行为进行了研究.结果表明Li[Ni1/3Li1/9Mn5/9]O2可标定为单相α-NaFeO2,并具有$\\sqrt 3 $ahex.×$\\sqrt 3 $ahex.×$\\sqrt 3 $chex.超结构特征.电池充电时,伴随锂离子的脱出,相邻氧原子层间的静电斥力逐渐增大,当电压为3.8V时应力达到最大.接近4.6V时,晶胞常数c急剧下降,绝大多数Li+从材料的锂层拔出,Ni2+发生氧化.4.6~4.8V之间c增大,a变化很小,说明过渡金属层中的Li+拔出,而过渡金属离子的氧化状态未改变

针对永磁同步电机系统解耦性能,提出一种逆控制的新型控制策略,应用逆系统方法对永磁同步电机进行解耦控制研究.通过对永磁同步电机的数学模型可逆性分析,将永磁同步电机系统解耦成二阶线性转速与一阶线性定子电流两个低阶的线性子系统.仿真结果表明,控制方案具有优良的动态和静态性能,且对负载变化具有较强鲁棒性

概论 放大的概念 电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大 的信号。 放大电路可以用有输入口和输出口的四端网络表示， 如图：

场效应管是利用电场效应来控制电流大小， 与双极型晶体管不同，它是多子导电，输 入阻抗高，温度稳定性好、噪声低。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种:

用研制的Mg2SiO4(s)+MgO(s)硅传感器,对高碳冶金熔液中的硅进行了测量,发现辅助电极的物相结构和熔体中的氧含量对测量结果有明显的影响.首先提出了辅助电极型传感器的物理模型,导出了辅助电极的局域平衡氧势与熔体氧势和硅传感器测量结果的关系式,给出了覆盖常数和结构常数的物理意义.用实验数据拟合得到了该传感器的结构常数为6.66;用该模型对小于1的不同覆盖常数的硅传感器测得同一熔体的氧势进行了校正,得到了一致的局域平衡氧势值,证明了模型与实际吻合得相当好