2.1 晶体管的开关特性 2.1.1 半导体二极管的开关特性 2.1.2 半导体三极管的开关特性 2.1.3 MOS管的开关特性 2.2 分立元件门电路 2.2.1 二极管门电路 2.2.2 三极管门电路 2.3 TTL门电路 2.3.1 TTL与非门典型电路及其工作原理 2.3.2 TTL与非门的电压传输特性 2.3.5 改进型TTL门电路 2.3.6 其它类型的TTL门电路 2.3.3 TTL与非门的静态输入与输出特性 2.3.4 TTL与非门的动态特性 2.4 ECL门电路 (Emitter Coupled Logic) 2.4.1 ECL门电路的工作原理 下一页 2.5 MOS门电路 2.5.1 NMOS门电路 2.5.2 CMOS门电路(Complementary Symmetry MOS) 2.6 TTL与CMOS电路的接口 2.4.2 ECL门电路的主要特点

西北工业大学《电路基础》PPT课件：第二章 电阻电路等效变换

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(1)传统的设计方法 制板图(绘图工具)制作印制板(工艺流程)制印 焊接电路图测试修改电路反复确定一 需要一个具有完备的仪器仪表的电子线路实验室

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循环伏安法证明,二氯化锰浓度和温度对铝-锰电沉积的影响极显著,在静止的熔盐中,较高的二氯化锰浓度和较低的温度有利于形成单一的非晶铝-锰相。恒电位法研究证明,非晶铝-锰的电沉积时,其成核速度很小,而且具有二维生长的特征,所以缺陷少、性能好