High power diode laser ROFIN DI Series ROFIN DL X75 750 w ROFIN DL 010 000 W ROFIN DL 015 500 W ROFIN DL 020 2000 w ROFIN DL 025 2500 W ROFIN DL 030 3000 w ROFINI SINAR

一、分别用回路法和节点法列写下图电路的方程

1.正弦量的表示、相位差; 2.正弦量的相量表示 3.电路定理的相量形式

Local or remote control Microprocessor controlled RS-232/RS-485 CAN Complete diode laser control Affordably priced and monitoring solution Air or water cooling( specify)

对资源优化配置的非参数模型在电力工业中的应用进行了研究.选择了国内部分电网的数据,从纯技术效率、规模效率以及投入可处置度、投入组合效率、投入综合效率的角度对部分电力企业的资源配置效率进行了横向分析,结果表明,不同的电力企业之间的资源配置效率差距较大,电力企业总体上生产性投资的要素组合比例不合理,利用率较低

MITSUBISHI FAST RECOVERY DIODE MODULE RM400DY665 HIGH POWER SWITCHING USE HVDi(High Voltage Diode) Module INSULATED TYPE

Patented free-floating silicon technology Low on-state and switching losses Optimized for use as freewheeling diode in GTo converters Standard press-pack housing, hermetically cold-welded Cosmic radiation withstand rating

掌握各定理的内容、适用范围及如何应用

External dimensions(Unit: mm) High frequency rectification （1)Small power mold type(PMDS) （2) Ultra low VF （3)Very fast recovery

以石墨为阳极、钛片为阴极,采用恒电流法制备Cu-In预制膜,然后硒化处理得到CuInSe2薄膜.分析了预制膜和CuInSe2薄膜的相组成及其影响因素.结果表明:采用不同的电沉积工艺,可以得到不同相组成的Cu-In预制膜.在保证Cu/In小于1的条件下,降低InCl3浓度和H3Cit/CuCl2浓度比,选择较高电流,可以获得具有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜.含有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜,经硒化得到的CuInSe2薄膜具有单一CuInSe2相组成,并且符合化学剂量比要求;而只含有CuIn相的预制膜硒化后除了有CuInSe2相外还出现了CuSe相