按照穆尔定律,芯片制造商大约每18个月就会 把挤在指甲壳那么大的硅片里的晶体管数量增 加一倍。但是物理学定律认为,这种成倍增长 的速度不会永远持续下去。最终,晶体管会变 得非常小,小到晶体管的组件将只有几个分子 那么大。在这样小的距离里,起作用的将是古 怪的量子定律,电子会从一个地方跳到另外一 个地方而不穿过这两个地方之间的空间。就像 破漏的消防水管中的水,这时电子会越过原子 粗细的导线和绝缘层,从而产生致命的短路

利用电子束辐照Fe-Cr-Mn(W,V)合金的结果表明,添加原子半径尺寸大的溶质元素W和V,可形成大量微细碳化物,增多相界面即增加基体中尾闾数目,能有效降低合金基体中点缺陷过饱和浓度,减少空洞肿胀;同时有利于形成高密度位错环,减少它们相互间的间距,缩短点缺陷向尾闾移动扩散的平均自由程,导致点缺陷捕获溶质原子的机会减少,进而抑制辐照诱起晶界偏析,提高合金γ相稳定性

基于前驱体合成与氨气氮化两步法，通过对前驱体合成关键参数B源/N源比、分散剂种类、前驱体干燥方式进行调控，实现了大比表面积、少层氮化硼纳米片材料的制备。其优化条件为以硼酸为硼源，尿素为氮源，硼酸与尿素摩尔比为1∶30，甲醇和去离子水作为分散剂，利用真空冷冻干燥方式合成前驱体。将前驱体在氨气气氛下900 ℃保温3 h合成了氮化硼纳米片。利用X射线衍射测试、X射线光电子能谱测试、拉曼光谱测试、热重分析测试等对合成产物进行了物相和结构表征，利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、氮气吸脱附曲线等对合成产物进行了形貌及比表面积表征。结果表明：合成的氮化硼为六方氮化硼纳米片（h-BNNSs），纯度高，形貌类石墨烯，层数为2～4层，厚度平均为1 nm，比表面积为871.8 m2·g?1，单次产物质量平均可达240 mg，合成产物平均产率可达96.7%。该方法简单易操作，实现了大比表面积少层氮化硼的制备，有助于氮化硼在各应用领域的研究，如氮化硼/石墨烯复合材料、纳米电子器件、污染物的吸附、储氢等

近世代数基本知识复习 子环与理想 循环群 有限域的乘法结构 有限域的加法结构 有限域的代数结构 多项式的因式分解 正规基和对偶基

一、若当块的初等因子 二、若当形矩阵的初等因子 三、若当标准形存在定理

碳原子和至少一个其它原子,如氧、硫、氮等组成的环，称为杂环。含有杂环的化合物称为杂环化合物。特点：1、 数量多，约占已知有机化合物的三分之一； 2、对生命科学有极为重要的意义，与生物的生长、发育、 繁殖，遗传、变异关系密切。 本章介绍的杂环化合物：具有4n+2个电子的闭合共轭体系，即芳香杂环化合物

6.1半群与群 6.2子群 6.3循环群和置换群 6.4陪集与拉格朗日定理 6.5正规子群、商群和同态基本定理 6.6环和域 6.7例题选解

第一篇 系统介绍. 1 第一章 系统概述. 1 第二章 通用电路简介. 2 第三章 实验区简介. 7 第二篇 基础型实验. 8 实验一 晶体管开关特性、限幅器与箝位器 . 8 实验二 门电路电参数的测试 . 13 实验三 CMOS 门电路测试 . 24 实验四 门电路逻辑功能及测试 . 28 实验五 组合逻辑电路（半加器全加器及逻辑运算） . 33 实验六 触发器（一）R-S，D，J-K . 38 实验七 触发器（二）三态输出触发器及锁存器 . 43 实验八 时序电路测试及研究 . 47 第三篇 综合型实验. 79 综合实验一 智力竞赛抢答器电路 . 79 综合实验二 电子秒表. 82 综合实验三 2 1 3 位直流数字电压表. 87 附录 CC7107A/D 转换器组成的 2 位直流数字电压表. 93 综合实验四 数字频率计. 96 综合实验五 拔河游戏机. 103 综合实验六 随机存取存储器 2114A 及其应用. 108 第四篇 设计型实验. 120 课题一 8 路抢答器电路设计 . 120 课题二 数字电子钟设计 . 124 课题四 汽车尾灯控制电路 . 137 课题五 篮球竞赛 30s 计时器. 141 第五篇 附录. 144

7.1半群和独异点 7.2群与阿贝尔群 7.3子群 7.4陪集和拉格朗日定理 7.5正规子群 7.6同态和同构 7.7循环群 7.8置换群 7.9环与域

核反应堆屏蔽层是用一定厚度的铅包围反应堆， 用以阻挡或减弱反应堆发出的各种射线。在各种射线 中，中子对人体伤害极大，因此，在屏蔽层的设计中， 了解中子穿透屏蔽层的概率，对反应堆的安全运行至 关重要。 问题背景 假定屏蔽层是理想的均匀平板